Samsung 加大 8GB HBM2 產能,預估明年佔 50% 或以上


Samsung 在記憶體上的業務愈來愈好,他們宣佈將會提昇 8GB HBM2 的產能。這款最初由 SK Hynix 聯合 AMD 研發的晶片來到第二代已經被 Samsung 超越,搶先在 2016 年 6 月進行量產。

Samsung 搶先量產的同時也搶下大量訂單,包括:NVIDIA、Tesla P100、Quadro GP100 都是 16GB HBM2 的客戶。Samsung 表示,他們預計在 2018 年上半年,8GB HBM2 的產能將會佔 50% 或以上,而他們在 HBM2 的封裝上由八顆 8Gb Die 組成,並在底部擁有一個緩衝 Die,有效把 TSV 及 micro-bump 技術垂直串聯,結計達到 4 萬個 TSV,其單顆提供 256GB/s 之頻寛,並有效解決散熱問題。


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