三星是一家主要的儲存晶片製造商，近日宣布已開始大規模生產其最新的 NAND 晶片——第九代 QLC V-NAND，具備 1-Terabit（125GB）儲存容量。
早在 4 月，三星便成為首家大規模生產第九代 V-NAND 的公司，當時採用了 TLC（三層單元）技術。現在，該公司將技術升級為四層單元（QLC）解決方案，能夠在每個單元中儲存 4 位元，因此實現了更高的儲存密度。
這一技術進步使得數據寫入速度提高了一倍，讀取和寫入數據的功耗分別降低了 30% 和 50%。
三星閃存產品及技術部執行副總裁 Hur SungHoi 表示，這一大規模生產的時機正好符合三星在 AI 時代對先進 SSD 解決方案的需求。
實現 QLC V-NAND 的一項技術突破是通道孔刻蝕技術。三星通過雙層堆疊結構實現了更高的層數，並對單元及周邊電路的面積進行了優化，與上一代相比，密度提高了 86%。
三星採用了設計模具技術，這使得單元特性在層內及層間的均勻性和優化得以實現。結果，數據保留性能提高了 20%，從而增強了產品的可靠性。
在數據讀取和寫入過程中，功耗也有所改善，並且新解決方案通過最小化晶片上的不必要操作，將寫入性能提升了一倍。
QLC V-NAND 晶片一般用於 SSD 中，該解決方案將來將擴展至個人電腦、雲服務的伺服器 SSD 以及主要用於智能手機的通用閃存。
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