SK 海力士 是今年唯一一家實現產能增長的記憶體廠商，下州工廠於今年 2 月開始量產 HBM（高帶寬記憶體）。其他廠商仍在觀望，要麼在平澤廠轉產或調試設備，產能要到 2027 年底甚或 2028 年才能開出。Samsung、SK 海力士、美光三家公司壟斷全球 DRAM 市場約九成份額，它們也是目前唯一能生產 HBM 晶片片的半導體廠商。 這些公司優先發展 HBM，擠壓了 DRAM 產能，導致記憶體短缺情況從去年第四季開始急劇惡化，今年以來記憶體價格較上季上漲 90%。
預計到今年年中，記憶體產量佔手機製造成本的比例將由 20% 升至 40%，智能手機市場因而收縮 13%，記憶體短缺還將波及汽車行業。
產能擴張計劃落後市場需求
研究機構估計，要解決記憶體供應短缺，半導體行業到 2027 年需增產 12%，而計劃中的新擴產能目前只有 7.5%——擴產計劃包括：SK 海力士的龍仁工廠群。公司正加緊建設，預計 27 年 2 月啟用首座潔淨室，比原計劃提前三個月，SK 海力士是擴產最積極的廠商，要表現一番。（這是效果圖，實際情況如下圖所示） 美光位於愛達荷與新廠的投產要到明年下半年，遠水解不了近渴：Samsung電子平澤第四工廠有望今年建成，但量產要到 27 年，而且這家工廠同時生產邏輯晶片，DRAM 產能受影響；平澤第五工廠還在土建，
主要生產 HBM，最快 28 年量產。由於新擴產能要到明年下半年才開始緩慢貢獻，DRAM 產能提升速度只能滿足六成需求，供應危機將持續到 27 年，SK 海力士甚至認為短缺情況會持續到 2030 年。 這種怪獸還要活蹦亂跳很久……疫情後 IT 泡沫破裂曾導致多家半導體廠商破產，其中爾必達錄得史上最慘破產，美光與 SK 海力士也出現虧損，這些廠商至今仍心有餘悸。
因泡沫破裂受創最深的爾必達正值是否新建第三座生產設施，「我們將根據市場增長情況進行理性投資」，爾必達新任總裁大田修一郎稱。
