丹麥 DTU 研製室溫下內強外隱形磁鐵

磁鐵雖然強大,但它們會洩漏無形的磁場,干擾附近電子元件。這在小型化電子產品及密集功能設計中構成嚴重問題。丹麥技術大學(DTU)國際研究團隊開發出一種近乎不可能的磁鐵:內部磁性強勁,外部卻幾乎無磁場洩漏,且在室溫以上仍維持此特性。「我們現時擁有磁結構高度有序的材料,但無通常干擾電子產品的磁場,」DTU 教授兼研究員 Kasper Steen Pedersen 表示。

此獨特組合或改變未來電子設計,尤其自旋電子學(spintronics),其以電子自旋而非電荷傳輸資訊。

抵消磁場的分子結構

研究核心為罕見的補償鐵磁體(compensated ferrimagnet)。傳統磁鐵中,無數微小磁矩同向排列,形成明顯外部磁場。此材料則將磁矩反向配置,雖未消失——內部磁性仍強且有序——但相互近乎完全抵消,外部磁場極微。科學家多年追尋此平衡,多數材料僅限特定溫度,一旦條件變化即失效,限制應用。 團隊棄用傳統金屬合金或氧化物,转而構築分子結構——金屬有機網絡(metal–organic network),磁性原子以有機連接子相連,提供更高控制。

「這開啟全新控制層級。磁性嵌入分子材料時,可利用化學調節磁性及電子特性,」Pedersen 補充。材料由鉻原子與吡嗪(pyrazine)分子連結而成。吡嗪以自由基形式存在,具未配對電子,主動貢獻整體磁行為。透過精準排列鉻與吡嗪,團隊實現外部磁矩近完美抵消,內部卻穩固。 為驗證此精密配置,研究使用中子散射及同步輻射等工具,原子級探測磁結構。測量顯示補償效應並非脆弱,在廣泛溫度範圍穩定,尤其室溫以上持續。

此穩定性區別於以往嘗試。 成果雖非即成技術,卻指明方向。無干擾磁場的材料可讓電子元件更緊密排列,適用自旋裝置追求更快、更節能表現。「我們未造出成品技術,但證明多年尋求的特性組合可行,此材料成未來開發平台,」Pedersen 指明。惟工作仍處基礎階段,需探索電性並轉化為可整合薄膜電路。研究刊於《Nature Chemistry》。

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Henderson
Henderson 是 TechRitual Hong Kong 科技編輯,專注報導智能手機、消費電子產品、SIM 卡及流動通訊市場。自加入 TechRitual 以來,累計撰寫數千篇科技報導及產品評測,內容同步發佈至 SINA 及 Yahoo Tech 等主要平台。部分文章由 AI 工具輔助撰寫,經編輯團隊審閱及事實查核後發佈。