Samsung電子在最近的財報電話會議上指出，通用 DRAM 的盈利能力已超越高帶寬存儲器（HBM），惟公司會維持兩者均衡生產比重。Samsung電子承認：「近期通用 DRAM 價格上漲，其盈利能力確實高於 HBM。」公司解釋，HBM 以年度為單位提前簽訂供應合約，而通用 DRAM 則以季度為單位議價，因此通用 DRAM 能更快反映價格上升趨勢，導致短期收益逆轉。
HBM4 需求火熱，產能全售罄
Samsung電子強調，不會因通用 DRAM 短期盈利較高而大幅調整生產結構。若過度傾斜生產，會加劇 HBM 供不應求，屆時 HBM 盈利能力有望反超。因此，公司計劃維持通用 DRAM 與 HBM 的均衡生產比例，兼顧短期業績與長期策略。 Samsung電子半導體業務負責人透露，HBM4 的差異化性能吸引大量客戶需求，公司為 HBM4 準備的全數產能已售罄。預計今年下半年，HBM4 供應量將全面擴大，其銷售額將於第三季度佔Samsung整體 HBM 銷售額一半以上，全年亦將超過半數。
技術迭代方面，Samsung電子已引入 1c 納米制程的 DRAM 至 HBM4 生產，提升產品性能。同時，下一代 HBM4E（第七代 HBM）的首批樣品計劃於今年第二季度供應主要客戶，相關業務正加速推進。
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