據半導體行業消息，Samsung 電子於 3 月底啟動第八代 V-NAND（V8）量產後，已著手在中國西安工廠進行第九代 V-NAND（V9）的生產線轉換工作，潔淨室建設已進入準備階段。據悉，Samsung 電子正加速將西安工廠轉為高堆疊層數的 V-NAND 生產線。在完成從 128 層 V6 向 236 層 V8 的轉換投資後，該工廠已於 3 月 30 日進入 V8 的批量生產階段。行業分析認為，V6 產品在該工廠的產能比例已基本縮減或進入收尾階段。
Samsung 電子在西安工廠推進第九代 V-NAND 技術轉換
為推進 NAND 技術轉換，Samsung 電子在中國的投資規模持續擴大。根據上海半導體材料創新聯盟（ICMIC）數據，2025 年 Samsung 電子對西安工廠的投資額預計約 3.04 億美元（約合 4654 億韓元），較上年增長約 67.5%。Samsung 電子計劃在年內完成 286 層 V9 的投資，並啟動量產準備工作。目前，為構建 V9 生產線而進行的潔淨室工程正在籌備中，預計相關設施完工並正式啟用 V9 產線的時間點將在 2027 年。
屆時，V8 與 V9 產線將以共存形式運營一段時間。
西安工廠是 Samsung 電子全球 NAND 生產的核心基地，佔其全球 NAND 總產能的約 40%。據估算，2025 年該工廠實現銷售額約 8.64 萬億韓元，淨利潤約 1.11 萬億韓元。
項目 規格 V-NAND 代數 第八代 V8 / 第九代 V9 潔淨室建設時間 預計 2027 年啟用 西安工廠產能比例 約 40%
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