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SK 海力士近期公佈了一項名為 iHBM 的高帶寬內存散熱技術，此技術透過在 HBM 封裝內部加入一體化冷卻組件，旨在降低發熱並提升高負載環境下的運行穩定性。該公司指出，這一新方案可將熱阻降低超過 30% 相較於現有產品。
根據 SK 海力士的介紹，iHBM 將熱控制元件佈置於發熱最集中的 D22D PHY 區域內，並為熱量導出建立專用通道。此熱控制元件被稱為 ICE，即集成冷卻元件，採用不導電但具備高導熱性的硅材料，在封裝內部形成額外的散熱路徑，以改善 HBM 在高温、高負載條件下的熱管理表現。
iHBM 技術將提升 HBM 的散熱性能
在製造方面，iHBM 採用已在市場中得到驗證的 Advanced MR-MUF 基礎 WLP 工藝，支持穩定的大規模量產。SK 海力士表示，這項技術與客户現有的系統級封裝環境具有較高的設計兼容性，因此在導入時無需進行大幅度設計修改，可直接應用於現有體系中。
SK 海力士計劃從 HBM5 等下一代產品開始導入 iHBM 技術，以滿足高性能計算、AI 數據中心等超高集成度和超高帶寬場景下更嚴格的散熱需求，並提升系統整體穩定性和運營效率。SK 海力士負責封裝開發的副總裁李康旭表示，iHBM 是結合內存設計能力與先進封裝技術開發的散熱優化方案，旨在為 AI 應用環境下的客户需求提供更及時的支持。
隨著 AI 計算負載持續增長，HBM 的發熱控制正成為影響性能釋放和系統可靠性的關鍵環節，廠商也在持續推進相關封裝與散熱技術升級。
項目 規格 熱阻降低 超過 30%
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