據市場消息及 Samsung 提交給越南當地政府的文件顯示，Samsung 電子正計劃在越南投資 39 萬億越南盾（約合 15 億美元），建設一座全新的存儲晶片測試工廠。該工廠位於河內以北約 60 公里的一處工業園區，目前已經動工，預計將於 2027 年 11 月正式投產。這將是 Samsung 在越南的首家晶片測試工廠。分析人士認為，Samsung 此舉旨在緩解因 AI 需求爆發而導致的全球內存晶片供應短缺。
根據為新廠址申請環境許可而提交的提案，新工廠年產能將包括 1533 億千兆比特（Gb）的動態隨機存取存儲器（DRAM）晶片，以及另外 2556 億千兆比特的 NAND 快閃存儲晶片。該投資已於 2026 年 3 月獲得越南當局批准。據瞭解，自 4 月以來，已有 200 多名 Samsung 工程師和員工在該項目工地進行前期工作。有記者在本週的實地探訪中觀察到大量重型施工車輛和工人在現場作業，一名安保人員確認該工地為 Samsung 半導體工廠。
Samsung 在越南的半導體投資計劃顯示出長期戰略
Samsung 方面並不滿足於僅投建一家工廠。文件顯示，Samsung 還計劃將該項目產生的利潤（如有）中的最高約 25 億美元，用於潛在的第二家工廠建設。這表明 Samsung 對越南作為其半導體後端製造樞紐的戰略價值抱有長期看好態度。Samsung 方面拒絕就上述細節置評。
相關文件內容顯示，該工廠將專注於生產“傳統晶片”（即非最前沿製程的內存產品）。儘管其對 AI 供應鏈的直接重要性相對較低，但隨著各大製造商將更多產能轉向 AI 晶片製造，傳統成熟的內存晶片同樣面臨嚴重的供應短缺。來自 AI 數據中心運營商的強勁內存晶片需求，已嚴重製約了智能手機、筆記本電腦和汽車等行業的供應，而 Samsung 此次在越南加碼投資測試工廠，有望在一定程度上緩解這一局面。
值得注意的是，這只是 Samsung 在越南龐大投資藍圖的一部分。截至目前，Samsung 已在越南累計投資超過 230 億美元，是該國最大的外國投資者。早在今年 4 月，已有消息指出 Samsung 計劃在越南北部的太原省投資約 40 億美元建設一座半導體封裝和測試工廠，該項目計劃分階段落地，其中初始階段投資額為 20 億美元，將成為 Samsung 自 2008 年進入越南以來在該領域的最大單筆投資。
項目 規格 年產能（DRAM） 1533 億千兆比特 年產能（NAND） 2556 億千兆比特
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