根據半導體行業的相關信息顯示，國內目前正以最大 DRAM 廠商長鑫存儲為核心，加快高帶寬內存（HBM）的商用化進程，相關產業能力提升的動作持續推進。長鑫存儲的 HBM 研發進度方面，該公司已推出 HBM3 樣件，並向華為等國內 AI 晶片廠商供貨，現階段正處於量產前的驗證環節，同時規劃明年實現 12 層 HBM3E 的量產。如果該計劃落地，長鑫存儲與 Samsung 電子、SK 海力士、美光三家頭部存儲廠商的技術差距將縮短至 2 至 3 年。
此外，國內 NAND 廠商長江存儲也有可能加入下一代 HBM 的開發，計劃整合長鑫存儲的 DRAM 製造能力與長江存儲的 3D 封裝技術，推進更高層數的 HBM 研發，目前雙方針對 20 層級 HBM 所需的混合鍵合技術的合作已在推進中。根據市場調研機構 Counterpoint 的數據顯示，2026 年第一季度全球 DRAM 市場中，Samsung 電子、SK 海力士、美光分別以 38%、22%、22% 的份額佔據前三，長鑫存儲的 DRAM 收入同比上漲超過 700%，以 8% 的份額位列第四，較上年同期
3% 的份額增長超過兩倍。
長鑫存儲的 HBM 研發將縮短與國際競爭對手的差距
行業相關人士分析稱，雖然國內 HBM 研發進展較快，但 HBM 的核心競爭力涉及硅通孔技術、堆疊封裝、發熱控制、量產良率穩定及客户認證經驗等多個維度，目前國內廠商與三大頭部存儲廠商的實際差距仍然較大。不過，依託國內政策支持以及本土 AI 產業的內需優勢，滿足可用標準的 HBM 產品有望在國內 AI 生態中快速普及，對韓國存儲廠商而言，這屬於需要中長期關注的行業趨勢。
目前 Samsung 電子、SK 海力士均在國內設有生產基地，Samsung 西安工廠承擔其全球約 40% 的 NAND 產能，SK 海力士也在無錫、大連設有 DRAM 和 NAND 生產基地。行業人士指出，當前國內市場仍是頭部存儲廠商重要的生產和需求市場，相關廠商需要加強核心工藝、良率及封裝相關的技術管理。
項目 規格 DRAM 廠商 長鑫存儲 市場份額 8% 收入增長 超過 700%
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