最近，Samsung 電子在台北電腦展 2026 期間公佈了下一代儲存方案，並首次展示了第八代高帶寬內存 HBM5 樣品。該公司表示，將推進一項名為 HPB 的散熱技術在後續產品中的應用，以應對人工智能系統不斷提升所帶來的熱量問題。Samsung 電子 DS 部門首席技術官宋在赫在展會上介紹説，隨著人工智能產業的快速變化，涵蓋儲存、代工、邏輯和封裝的整體方案能力變得愈加重要。
Samsung 電子推出的 HBM5 將改善人工智能系統的性能
同時，人工智能系統正向超高性能和超高集成方向演進，競爭焦點不再僅限於單純的儲存性能，數據處理效率和熱管理能力也成為關鍵因素。本次亮相的 HBM5 樣品屬於開發完成前的外觀模型。Samsung 表示，面向 HBM5 的一項核心技術是 HPB，通過新增獨立熱傳導路徑，降低熱阻，讓物理層區域產生的熱量更高效地擴散和釋放，從而提升運行穩定性。
根據 Samsung 的説法，該技術有望在高帶寬、高集成的人工智能應用環境中改善系統的整體效率。Samsung 還透露，HPB 技術已在 HBM4E 產品上完成實現與驗證，後續將正式導入 HBM5，以進一步提升產品性能和穩定性。此前，Samsung 已表示計劃在 HBM5 中率先採用 2 納米基礎晶片。
除了 HBM5 外，Samsung 在本次展會上還展示了 HBM4E 晶圓和晶片組。該產品採用了 1c DRAM 核心晶片與自家 4 納米工藝基礎晶片組合的結構。根據 Samsung 此前公佈的信息，HBM4E 已於 5 月 29 日完成行業首個樣品出貨，能夠以每引腳 14Gbps 穩定運行，最高可達 16Gbps，對應最大帶寬 4TB/s。Samsung 表示，未來將繼續與包括英偉達在內的全球企業展開合作，強化下一代儲存技術的競爭力。
項目 規格 製程技術 2 納米 最大帶寬 4TB/s
