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Samsung 正在推進 10 納米級第七代 DRAM，即 1d DRAM 的量產準備工作，計劃最早於明年第二季度引入相關生產設備。該公司目前正與多家供應商合作，開發這些生產設備，並致力於確保 1d DRAM 的良率與性能穩定。
Samsung 計劃於明年第二季度開始量產 1d DRAM
根據韓媒報導，Samsung 的 1d DRAM 電路寬度約為 10 至 11 納米，相比之下，目前商用的第六代 1c DRAM 電路寬度約為 11 至 12 納米。透過進一步縮小電路寬度，新一代 DRAM 在性能及能效方面將獲得顯著提升。
此前市場曾有猜測，認為 Samsung 可能於今年啟動 1d DRAM 的量產，但由於相關核心生產設備仍處於開發階段，這一目標被認為難以實現。業內分析指出，考慮到設備導入後的調試與量產準備週期，Samsung 最早有望在明年年底實現 1d DRAM 的初期量產。
Samsung 平澤工廠的半導體行業相關人士表示，Samsung 正與主要合作夥伴積極進行研發，確保 1d DRAM 的良率及性能穩定。雖然具體時間表可能隨著研發進度進行調整，但目前的目標是在明年第二或第三季度導入量產設備。另一位知情人士則指出，1d DRAM 是 Samsung 內部開發進度較快的工藝項目，相關計劃預計將在今年年底進一步明朗。
Samsung 的 1d DRAM 技術在未來的 AI 存儲器業務中具有重要地位。根據規劃，該技術預計將被用作 2029 年商用的第九代高帶寬內存，即 HBM5E 的核心芯片載體。
項目 規格 電路寬度 10 至 11 納米
