據外媒報導，智能手機在運行大型模型時正面臨內存帶寬瓶頸，此一難題並不能僅通過軟件更新來解決。為瞭解決當前 LPDDR 內存在 AI 模型本地運行中的制約，正在開發一種名為 LLW（低延遲寬 DRAM）的新內存格式。外媒指出，現有的 LPDDR 內存在向處理器快速傳輸數據方面存在限制，這也是為何 AI 數據中心普遍採用 HBM（高帶寬內存）的原因之一。HBM 通過將多層內存貼近處理器並經由極寬接口連接，實現了比 LPDDR 快 10 至 15 倍的帶寬，但其複雜的封裝和散熱方案並不適用於智能手機。
LLW 內存借鑒 HBM 的設計理念，在提供更高帶寬和更低延遲的同時，避免了堆疊內存所帶來的空間與散熱問題，有望成為智能手機的 HBM 解決方案。不過，外媒強調對於有關此技術的情報仍需理性看待，目前所有相關信息均來自行業數碼博主的相關爆料，並非官方發布。據 CNMO 科技瞭解，相關博主透露，LLW 內存可將設備功耗降低約 50%，同時綜合性能提升約 1.5 倍。
LLW 內存商用普及進度需要幾年時間
至於商用普及的進度，同一份爆料指出，LLW 距離大規模量產落地尚需數年時間。具體來看，該內存技術預計要到 2027 年下半年才會迎來大範圍裝機。傳聞小米和華為有望成為首批搭載該技術的廠商，但兩家公司均未公開提及這項新技術。
項目 規格 功耗降低 約 50% 性能提升 約 1.5 倍
