Samsung 揭曉 CUBE 策略　DRAM 與 NAND 全面轉向 3D 垂直堆疊

Samsung 於「Semicon Taiwan 2026」大會上公佈名為「CUBE」的下一代儲存技術策略，計劃透過三維垂直堆疊技術突破傳統記憶體架構限制，進一步提升儲存容量、頻寬與能源效率，以應對人工智能時代的數據處理需求。

Samsung CUBE 戰略聚焦四大核心方向

在大會主題演講中，Samsung 詳細介紹「CUBE」戰略的技術路線。CUBE 分別代表容量（Capacity）、利用率（Utilization）、頻寬（Bandwidth）及能效（Efficiency），Samsung 期望透過這四個維度持續推動儲存技術演進。公司指出，三維堆疊並非單純將晶片疊放，更關鍵在於優化各層之間的功能分配與佈局；透過縮短晶片之間的距離形成高速數據通道，可進一步提升頻寬表現，同時改善單位功耗下的性能輸出。

Samsung 表示，相關技術進展將有助應對人工智能應用日益龐大的運算需求。

HBM 系列持續迭代應對 AI 伺服器算力需求

Samsung 現時已於高頻寬記憶體（HBM）領域持續推進三維封裝技術，由 HBM2 演化至 HBM4E、HBM5，逐步提升產品容量、頻寬、電源效率及散熱管理能力，以滿足人工智能伺服器持續增長的算力需求。其中 HBM5 的目標是相比 HBM4E 性能提升 2 倍、每瓦性能提升 20%、熱阻降低 20%。此外，Samsung 亦同步推進 NAND 技術發展，zNAND-O 將提供比 DRAM 高 10 倍的位元密度以支援大型語言模型所需的大規模容量，同時提供比 NAND 高 7 倍的讀取頻寬與功耗效率，計劃於 2028 年起開始提供樣本。

zHBM 與 zNAND-O 揭示長線技術路線圖

面向更長遠的技術規劃，Samsung 亦披露了 zHBM 與 zNAND-O 的發展路線圖。當中 zHBM 相比 HBM4E，目標實現性能提升 8 倍、每瓦性能提升 3 倍、熱阻降低 75% 至 90%，被視為在性能與效率層面超越現有極限的革新性產品。配合 zNAND-O 在密度與頻寬方面的突破，Samsung 期望兩者共同構成新一代儲存技術架構，為人工智能訓練與推理工作負載提供更高效的底層支援基礎。

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