Samsung 首次與台積電合作生產高帶寬內存基礎晶片

10 月 19 日，Samsung 電子將首次與台積電在高帶寬內存（HBM）製造階段展開合作，採用台積電 3 納米工藝為英偉達生產下一代定製高帶寬內存 HBM 的基礎晶片。據瞭解，英偉達此前已要求 Samsung、SK 海力士、美光科技三家內存供應商，統一採用台積電 3 納米工藝製造 NVHBM 基礎晶片，同時採用第六代 DRAM 技術製造核心晶片。Samsung 在經過內部審查後已接受該要求，不過其標準 HBM 產品以及面向其他客戶的定製 HBM 產品，仍將保留原有內部生產模式。

英偉達於今年 8 月發布 NVHBM，該產品將英偉達定製內存控制器集成到基礎晶片中，官方數據顯示其內存帶寬較標準 HBM4E 高出 30%，同時功耗降低 15%。為實現這一性能表現，英偉達推動跨供應商的生產標準化，要求基礎晶片統一採用台積電 3 納米工藝，以此減少對不同供應商樣品的單獨驗證環節，節省時間與研發資源。

Samsung 與台積電的合作將推動高帶寬內存技術的發展

此前，Samsung 在 HBM 生產中通常採用交鑰匙模式，即從設計到封裝全流程獨立完成，無需客戶協調不同環節廠商；SK 海力士則採取分工模式，將 HBM4 的基礎晶片交由台積電代工。本次合作中，Samsung 將與台積電聯合開發 3 納米製程的 HBM 基礎晶片，最終生產符合英偉達標準的產品，同時 Samsung 也在探索成為 NVHBM 基礎晶片產能備份的可能性，兼顧 NVHBM 相關需求與自身原有產品線佈局。

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