YMTC 今年成為中國最大 NAND 閃存晶片製造商，市場佔有率高達 38.5%，較去年 28% 顯著提升，成功超越 Samsung 及 SK Hynix。Samsung 現時以 33.5% 的份額位居第二，較上年度 36% 下降，SK Hynix 則以 17% 佔比排名第三，較去年 20% 下滑。呢個變化意味住美中半導體供應鏈動態出現新格局，全球 NAND 生產能力正迫使美韓兩地廠商調整策略以保持競爭力。Samsung 喺中國西安嘅工廠約佔全球 NAND 產能嘅 40%，但現階段生產嘅多係較舊技術、層數大約 200 層嘅晶片。更多層數通常帶來更高嘅單晶片容量。將於西安工廠進行 V9 升級，層數提升至 286 層，呢個計劃已由路透社報導，預計逐步推行，年底前出貨量約 5,000 wafers，直至 2027 年底再大幅增長至 40,000 wafers。這條時間線代表 Samsung 正以更高密度技術回應市場需求。
另一方面，SK Hynix 喺中國大連有一座工廠，該廠先前由 Intel 分拆並以 Solidigm 名義出售。現時該公司正與美國相關主管機構協商，尋求在美國設立 NAND 產能，並已獲得美國當局就 240 層以上晶片嘅升級許可洽商。大連工廠現時生產 192 層晶片，但內部消息人士指稱，升級至 240 層乃至 300+ 層晶片仍有進一步審批空間。美國商務部下屬的商業情報局（Bureau of Industry and Security）在 2025 年曾表示，不會對在中國擁有外國晶片 廠商增建或升級的工廠發放許可。呢個規範動向，將影響 SK Hynix 及整個中美半導體投資走向。相關討論亦涉及 SK Hynix 與 Intel 合作、在美設 NAND 產能嘅可能性，以利全球市場嘅供應與多樣化。外界對此嘅關注在於，若美方限制繼續影響中美廠商喺中國嘅擴產，是否會促使產能轉移或再分散到其他地區。
市場格局變化背後嘅技術與政策因素
新興晶片工藝的演進與產能調整，對中國、韓國及美國嘅 NAND 供應鏈都帶來深遠影響。V9 系統以 286 層晶片為目標，反映出高層數結構對存儲密度嘅直接影響；對於 Samsung 來講，雖然 V9 係上一代技術，但 V10 於更高層數與效能方面有新突破，提供更快嘅速度與更佳嘅能源效率。呢啲技術轉換意味住晶片製作流程、光罩設計、良率控制、以及熱管理都需同步提升，長遠可能降低每位元的成本，從而提升全球 NAND 嘅供應穩定性。西安工廠層級升級的進度，亦會影響整體全球產能佈局，特別係與中國本土晶片需求增長嘅配合度。若能有效提升產能與良率，對於中國市場嘅 NAND 需要將具備正向推動作用，並促使廠商在中國投放更多前瞻性技術。
此外，美國的出口管制與技術出口許可制度，對跨國晶片製造商嘅全球佈局亦有直接影響。BIS 對在中國擁有外國晶片製造商的擴建與升級項目保持嚴格審核，可能影響 SK Hynix 及其他廠商在中國的投資節奏。喺 2025 年起，相關限制嘅執行可能推動業界尋求更穩定嘅供應鏈與地緣政治風險較低嘅生產基地，例如在美國或其他地區增加產能。此類政策動向亦促使企業重新評估與美國供應鏈合作嘅深度，例如與本地晶片設備供應商或其他研究機構嘅合作，以提高自立性並減少對單一地區嘅依賴。
總括來講，YMTC 於 NAND 市場取得領先地位，反映出中國晶片製造能力近年穩步提升；同時 Samsung 與 SK Hynix 正透過技術升級與跨區域佈局，維持各自嘅市場份額與競爭優勢。對於終端應用而言，更新後嘅 NAND 產品可望在容量、速度與能耗方面帶來改善，進一步推動數碼相機、手機、筆記型電腦及資料中心等領域嘅性能提升。
若要深入理解全球 NAND 產業嘅發展方向，值得留意唔同地區嘅政策走向、晶片製造技術升級步伐，以及跨國公司喺中國以外地區嘅投資動向。喺呢場技術與政策嘅交匯點上，企業需要喺創新、供應鏈安全與合規之間取得平衡，方能於未來市場中保持穩定增長。
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