台積電公司正在考慮進軍先進內存晶片製造領域，這一舉措將使這家全球最大晶片製造商在人工智能硬件供應鏈中獲得更大份額。據兩位直接知情人士透露，台積電最近開始制定生產一種特定先進存儲晶片——3D DRAM 的計劃，這是應其最大客戶英偉達的要求。DRAM 即動態隨機存取存儲器，在處理器運算時暫存數據。傳統 DRAM 將存儲單元單層排布，而 3D DRAM 將存儲單元垂直堆疊，能在單顆晶片中放入更多存儲單元，從而實現更高的存儲密度。
台積電多年間一直在研究存儲技術，手握多項垂直 DRAM 相關專利，方案正是通過向上堆疊存儲結構來提升密度。目前存儲晶片市場由 Samsung、SK 海力士和美光主導，這三家公司也都在研發 3D DRAM 技術，下一代存儲製造賽道的競爭已經展開。英偉達的請求並非孤立行動，AI 硬件熱潮已催生存儲晶片嚴重緊缺，價格大幅上漲，促使英偉達、蘋果等晶片設計企業尋找新增供應來源。
台積電計劃進軍 3D DRAM 市場以應對存儲需求
蘋果今年早些時候已因存儲成本上漲而上調了終端產品的售價。對於英偉達而言，HBM（高帶寬內存）是 AI 加速器的關鍵配套組件，而 HBM 的供應高度集中於 Samsung、SK 海力士與美光三家公司。引入台積電作為先進存儲的另一個潛在供應方，本質上是在為 AI 硬件的存儲瓶頸尋找一條「代工側」的替代路徑。
台積電尚未披露具體時間表，但知情人士給出了兩條可能的路徑：新建工廠，或收購現有廠房並改造為存儲產線。後一條路徑已有先例——美光今年 3 月以 18 億美元收購了台灣力積電的一座工廠，計劃改造用於先進存儲晶片生產。
項目 規格 處理器/SoC 3D DRAM 儲存空間 高存儲密度
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