根據外媒報導，Samsung 電子計劃於 2027 年初完成先進封裝技術 3D Cube-H 的開發，並在同期推出首批設計套件（Design Kit），隨後將開放給潛在客戶進行評估。該技術基於混合鍵合（Hybrid Bonding），能夠將多顆晶片進行垂直堆疊，主要用於下一代高性能人工智能（AI）晶片，亦是 Samsung 在先進封裝市場的重要佈局。
Samsung 3D Cube 是該公司推出的 3D 晶片堆疊技術，通過將不同晶片垂直疊放，在相同面積內集成更多晶體管。此前，Samsung 已經開發出採用熱壓鍵合（TC Bonding）技術的 3D Cube-T，現正推進採用混合鍵合技術的 3D Cube-H，以進一步提高晶片之間的連接密度和性能。
Samsung 3D Cube-H 將於 2027 年初推出設計套件
Samsung 3D Cube-H 的概念圖顯示了兩種技術的主要區別在於晶片的連接方式。傳統的熱壓鍵合需要在晶片之間放置微小凸塊，然後通過加熱和施壓來完成連接，這種工藝相對成熟，具備成本和良率方面的優勢。相比之下，混合鍵合允許晶片之間的銅連接端子直接結合，減少中間連接結構，並將端子排列得更加緊密，從而提高數據傳輸密度。
報導指出，Samsung 3D Cube-H 正在研發的互連間距約為 6 微米，而此前採用熱壓鍵合的 3D Cube-T 最小間距約為 25 微米。更小的間距意味著單位面積內可以佈置更多連接通道，有助於提高晶片之間的數據傳輸能力，同時降低每比特數據傳輸所需的能耗。此外，由於減少了傳統凸塊結構帶來的熱阻，混合鍵合在散熱方面也具有一定優勢。
高性能 AI 晶片是 3D Cube-H 的重要應用方向，例如，GPU 等高性能邏輯晶片可以通過垂直堆疊提高集成度，還可以將邏輯晶片直接堆疊在高帶寬內存（HBM）上方，縮短數據傳輸距離。隨著 AI 模型規模擴大，GPU 與內存之間的數據交換需求持續增長，先進封裝已成為影響 AI 晶片性能和能效的重要環節。
Samsung 計劃於 2027 年初完成首批設計套件，隨後邀請潛在客戶進行評估。這意味著 3D Cube-H 目前仍處於技術開發和客戶驗證準備階段，距離正式量產尚有一定距離。
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