記憶體製造商 SK Hynix 宣佈全球首款 321 層 UFS 4.1 TLC NAND 快閃記憶體，專為智能手機設計。這款新產品具備更快的速度、更高的效率及更薄的設計，適合下一代專注於輕薄機身和人工智能工具的手機。
與 2022 年的 238 層設計相比，這些新存儲芯片的隨機讀取速度提高了 15%，隨機寫入速度則提升了 40%。在順序讀取方面，最高可達 4.3GB/s。
此外，這款 NAND 包裝厚度為 0.85mm，較之前的 1mm 減薄。雖然減少的厚度看似不多，但對於如 Galaxy S25 Edge 等受歡迎的手機來說，每一點改進都是重要的。
根據 SK Hynix 的說法，新的 321 層 UFS 4.1 設計比上一代產品的能效提高了 7%，這意味著更少的熱量和更高的性能是永恆的趨勢。順序讀取速度的提升將改善設備上的人工智能性能（因為這將加快模型加載到 RAM 的速度），而改進的隨機性能則有助於多任務處理。
該公司將生產兩種容量的存儲產品——512GB 和 1TB。值得注意的是，將不會有 256GB 的變體，因此在選擇下一部手機時，這一點將成為一個考量因素（例如現在的 128GB 型號使用 UFS 3.1）。
SK Hynix 預計將在今年獲得智能手機製造商的訂單，並在明年第一季度開始大規模出貨。此外，該公司也在為消費者和數據中心開發 321 層設計的 SSD。
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