三星電子近日向其10納米級第六代 DRAM「1c」開發團隊的30名成員授予了價值 4.8139 億韓元（約 240 萬元人民幣，約 HK$ 261 萬）的公司股票，以表彰他們在提升產品性能和品質方面做出的重大貢獻。這款「1c」 DRAM是在三星電子DS部門負責人全永鉉副會長的指示下進行設計改進的，並將應用於下一代高帶寬存儲器 HBM4。
根據公司上月 30 日發佈的「自有股份處分決定」公告，此次獎勵涉及共 4,790 股普通股。公司表示，此舉旨在「激勵達成目標的課題開發人員，並給予其業績鼓勵和動機賦能」。業界分析認為，這次獎勵是對開發人員成功提升 DRAM 競爭力所取得成果的肯定。
據悉，「1c」 DRAM 也將應用於 HBM4，並被視作三星內存競爭力復甦的信號。近期，三星正與全球最大人工智能半導體企業英偉達進行 HBM4 的性能評估，據傳基於「1c」 DRAM 的性能，已獲得積極反饋。
在全副會長的指導下，三星電子此前推進了旨在提高「1c」 DRAM 性能和品質的設計改進工作。其成果是，目前該產品最高良率已達到 70%，而應用「1c」 DRAM 的 HBM4 也實現了接近 50% 的良率。三星電子已向所有主要客戶發貨了基於「1c」 DRAM 的 HBM4 樣品。
