Samsung 新款 Exynos 2600 晶片採用 Heat Path Block 技術，改善散熱性能

Samsung 自家研發的智能手機芯片經常受到過熱和耗電量高的批評。不過，近幾年來，Samsung 在這方面已經取得了顯著進展。最近發佈的 Exynos 2600 芯片採用了名為 Heat Path Block (HPB) 的新技術，以改善熱量散發。未來，Samsung 還計劃引入更多技術，以進一步提升散熱性能。

目前的 Exynos 芯片採用的是 Fan-Out Wafer Level Package (FOWLP) 結構，這種結構將輸入和輸出端口放置在芯片外部，以減少芯片內部的熱量產生。此外，HPB 是一層薄銅層，能夠更快地散發處理器的熱量。然而，DRAM 和 HPB 都位於處理器的上方，這意味著 HPB 只能散發處理器產生的熱量，而無法處理 DRAM 的熱量。

Samsung 計劃在未來的 Exynos 芯片中採用側併式 (SbS) 包裝結構。這種結構使 DRAM 和處理器並排放置，HPB 則位於它們的上方。這樣，HPB 能夠迅速散發 Exynos 處理器和 DRAM 產生的熱量，同時也使得芯片包裝在垂直方向上變得更薄，更容易安裝於纖薄的智能手機中。

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不過，SbS 結構也有其缺點。由於 DRAM 和處理器並排放置，包裝的橫向面積增加，而垂直高度則減少。如果手機製造商（例如 Samsung 的智能手機部門）在包裝面積增加方面沒有問題，則 Samsung 的芯片部門可能會在中長期內在所有 Exynos 芯片中採用 SbS 結構。

搭載 SbS 包裝結構的 Exynos 芯片可能首先會出現在 Galaxy Z 系列手機中，因為這些手機對薄型化的需求更高。