根據 TrendForce 報導,從 2026 年初起,HBM4 出貨量將快速上升,Samsung 開始調漲 4nm 基底晶片價格,漲幅達 40% 至 50%。同時,Samsung 4nm 生產線已接近滿載運轉,晶圓代工業務整體獲利能力呈現逐步改善趨勢。 Samsung 今年 2 月宣布量產 HBM4 原型,並已向客戶發貨商用產品。該方案採用 4nm 製程的基底晶片,搭配 1cnm 工藝製造 DRAM 堆疊晶片。
Samsung 表示,量產初期即實現穩定良品率及產業領先性能。
Samsung 加速 HBM4E 及先進製程布局
Samsung 亦為 HBM4E 準備相同工藝的基底晶片,計劃今年投入生產。消息指 Samsung 還打算在 HBM4E 中引入 2nm 工藝製造基底晶片,以提升性能、散熱管理及面積利用率。 得益於良品率提升,Samsung 晶圓代工業務近期呈現獲利上升趨勢。公司因此設定新目標:兩年內實現獲利,並拿下 20% 市佔率。今年初,Samsung 晶圓廠整體生產能力利用率已提高至 60%,預計很快達到 80% 的收支平衡線。
有消息稱,Samsung 晶圓代工業務有望在今年第四季度實現獲利,明年迎來更明顯改善週期。 此外,伴隨 4/5nm 工藝訂單量增加,Samsung 在 2025 年第四季度已通知道客戶,將調漲 4/5nm 代工價格。
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