台積電 公布 1nm 及以下工藝生產線 中國 台南 2029 年試產

台積電在最近的季度財報法說會上，公布了 1nm 及以下工藝生產線的相關規畫。公司計劃在中國 台灣 台南建置 A10 晶圓廠，其中 P1 至 P4 廠區將用於開發 1nm 及以下的先進製程技術，預計 2029 年啟動試產，初期月產能為 5000 片晶圓。在美國亞利桑那州鳳凰城的 Fab 21 工廠方面，未來 P3、P4、P5 廠區將分別對應 2nm、A16 和 A14 工藝。

台積電還在該區域附近規畫了 6 個廠區，合計 11 座晶圓廠。

先進封裝技術挑戰與競爭態勢

其中，第一座先進封裝廠將於今年下半年動工，目標 2028 年啟用，初期將採用 SoIC 和 CoWoS 先進封裝技術。台積電同時確認，下一代先進封裝技術為 CoPoS，即 CoWoS 的「面版化」進化方案。不過，該技術的推進難度高於預期，需要時間也比外界預估更長，這使台積電的態度趨於保守。供應鏈相關人士指出，CoPoS 目前面臨的瓶頸主要集中在「均勻度」與「翹曲」等問題上。

針對Intel近期宣布加入美國 Global·Foundries 此前的 TeraFab 項目，台積電也做出回應。台積電董事長兼執行長魏哲家表示，台積電視Intel為強大的競爭對手，絕未低估對方，但晶圓代工行業沒有捷徑，基本的遊戲規則永遠不會改變。