Samsung 正式發佈 UFS 5.0 存儲芯片 加強 AI 處理能力及續航表現

Samsung 近日正式發佈了新一代 UFS 5.0 儲存晶片,該晶片主要針對智能手機的端側 AI 處理能力及續航表現進行優化。根據資料顯示,這款晶片的數據傳輸速度顯著提升,讀取速度最高可達每秒 10.8 GB,寫入速度最高可達每秒 9.5 GB,其性能表現是上一代 UFS 4.1 標準的兩倍以上。

隨著 AI 應用逐漸從雲端轉向終端設備,本地儲存晶片已成為支撐 AI 運行的核心基礎設施。Samsung 透過引入全新的時鐘門控和多電壓技術,使新晶片的能效比相比 UFS 4.1 提升了超過 40%。這意味著在運行複雜的端側 AI 任務時,設備能夠更有效地降低功耗,從而延長電池續航時間。

UFS 5.0 硬件規格的優化與容量選擇

在物理規格方面,新款 UFS 5.0 晶片的尺寸進一步縮小至 7.5 毫米 × 13 毫米 × 0.9 毫米,相比前代產品體積減小約 16.7%,為手機廠商的內部空間設計提供了更高的靈活性。這款晶片提供最高 1 TB 的儲存容量選項,預計將於今年第四季度正式開啟大規模量產。

業內分析認為,該晶片主要面向旗艦智能手機、可穿戴設備及 XR 頭顯等產品。隨著端側 AI 計算需求的增長,高性能儲存晶片將成為提升設備響應速度的關鍵。此外,Samsung 近期還確認了 Exynos 2700 晶片的研發計劃,該晶片有望應用於未來的 S27 系列機型。

項目規格
數據傳輸速度讀取:10.8 GB/s;寫入:9.5 GB/s
尺寸7.5 毫米 × 13 毫米 × 0.9 毫米
儲存容量最高 1 TB

Henderson
Henderson

Henderson 是 TechRitual Hong Kong 科技編輯,專注報導智能手機、消費電子產品、SIM 卡及流動通訊市場。自加入 TechRitual 以來,累計撰寫數千篇科技報導及產品評測,內容同步發佈至 SINA 及 Yahoo Tech 等主要平台。