據韓媒報導，Samsung 電子與 SK 海力士計劃大幅提前平澤工廠及龍仁半導體產業集羣的竣工時間。外界預測，各大半導體設備廠商的訂單規模也將在短期內迅速擴張。據瞭解，Samsung 電子與 SK 海力士近期與政府達成協議，調整設備投資時間表：一方面推進西南區域全新半導體集羣建設，另一方面將目前在建的京畿道平澤及龍仁工廠提前竣工。政府要求兩家企業大幅縮短京畿道擴產項目的週期，力爭於五年內將高端 DRAM 產能提升至現有的兩倍。
SK 海力士原計劃於 2045 年完工的龍仁半導體集羣工期直接提前 12 年，計劃於 2033 年前完成第四座晶圓廠的建設，後續將分階段投產配套生產設備，龍仁集羣的整體總投資額將達 600 萬億韓元。Samsung 電子同樣計劃提前落地平澤半導體產線。此前業界預估，今年下半年平澤 5 廠（P5）一期的主要工程將動工，明年下半年正式投產；而平澤 6 廠（P5 Fab2）才剛啟動基礎施工。
Samsung 電子與 SK 海力士將提前完成半導體產業集羣建設
然而，Samsung 電子調整了建設方案，不再分批次先後修建 P5 與 P5 Fab2，而改為同步施工以壓縮工期。同時，原定於 2047 年竣工的龍仁國家產業園區，建設週期縮短 7 年，計劃於 2040 年前全部完工。此次提前落地的投資重點聚焦於高帶寬內存（HBM）所需的高端 DRAM 產線搭建，因此相關設備企業將率先迎來訂單增長。Samsung 電子計劃在 P5 與 P5 Fab2 全部打造適配 HBM4、HBM4E 的 1c 製程 DRAM 專屬產線，同時可切換至明年年末量產的 10 納米級第七代（1d）DRAM 工藝，1d DRAM 將用於第九代 HBM5E 晶片的製造。
項目 規格 投資額 600 萬億韓元 竣工時間 2033 年
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