Samsung 電子已正式確定其下一代光刻技術的導入時間表。據韓媒報導，Samsung 電子的樸昌民（Park Chang-min）在“2026 下一代光刻+圖案化學術大會”上表示，公司計劃從 1 納米（A10）製程開始，正式將高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術應用於量產，預計於 2030 年左右實現商用化，目前正集中力量推進技術開發。
Samsung 自 8 納米以下的先進製程起便已將 EUV 技術應用於量產。EUV 的光波長為 13.5 納米，僅為現有氟化氬（ArF）光源的約十三分之一，能夠在更少次數的圖案化步驟中實現超微細電路。High-NA EUV 通過將透鏡的數值孔徑從 0.33 提升至 0.55，可以提高分辨率，實現更精細的電路圖案。應用該技術後，原本需要多次圖案化的超微細工藝可通過單次圖案化完成，有利於降低製造成本、提升生產效率，同時使電路設計更加靈活。
Samsung 計劃於 2030 年實現 High-NA EUV 商用化
Samsung 原計劃在 2 納米或 1.4 納米節點引入 High-NA EUV，但樸昌民表示：“2 納米、1.4 納米等節點雖然有意引入，但目前仍需要技術層面的進一步完善”，因此將導入節點調整至 1 納米（A10）及以下製程。
High-NA EUV 面臨多重技術障礙。該設備造價極為昂貴，同時對光罩、防護薄膜等相關材料技術也提出了更高的要求。業界預計，未來先進製程中將混合使用現有 EUV 多次圖案化與 High-NA EUV 單次圖案化兩種方案。樸昌民預計：“到 1.4 納米及 1 納米製程為止，0.33 NA EUV 多次圖案化仍將是主流技術路線。在此之後的下一代製程，High-NA 圖案化將成為主流。
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Samsung 目前已完成 2 納米製程的量產，計劃於 2029 年實現 1.4 納米製程量產，並於 2030 年推出 1.4 納米的改進版本（SF1.4+）及 1 納米製程。這一路線圖與 High-NA EUV 的量產導入時間高度吻合。
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