Samsung 與 SK 海力士（SK Hynix）正積極推進位於中國的 NAND 快閃記憶體量產基地設備投資與產線升級工作，預計於明年年底前完成相關部署，以應對人工智能（AI）伺服器市場對尖端儲存晶片持續攀升的需求。
Samsung 西安 X2 產線啟動 V9 NAND 轉型投資
據韓媒報導，Samsung 電子自今年上半年起，已在中國西安 X2 產線啟動 V9 型 NAND 快閃記憶體的轉型投資。該晶片採用 280 層堆疊式單元結構，屬於現時業界的尖端儲存產品，預計月產能規模可達 4 萬至 5 萬片晶圓。Samsung 近日已正式敲定補充投資計劃，重點追加採購製造超高層 NAND 快閃記憶體所必需的核心蝕刻設備，相關設備採購訂單預計將於今年年底前後最終確定。
蝕刻工藝是一種在刻有半導體電路的晶圓上去除特定材料的製造工序，需要在晶圓結構上精準鑽出極深的電荷傳輸通道孔。業內人士透露，Samsung 計劃於今年和明年分階段推進在中國的高端快閃記憶體產能擴張，由明年下半年開始進行針對性補充投資，以確保 V9 NAND 的穩定量產。
SK 海力士大連工廠升級設備進場安裝
SK 海力士亦自今年第三季度起，針對大連第二工廠推進 NAND 快閃記憶體產品升級所需的設備投資。相關消息顯示，包括蝕刻機在內的核心製造設備預計將於下月開始進場安裝，SK 海力士計劃在大連工廠持續推進設備調試與建設，目標是在明年上半年逐步實現每月 3 萬片晶圓的產能規模。
項目 規格 晶片類型 Samsung V9 NAND 快閃記憶體 堆疊層數 280 層 Samsung 西安 X2 產線月產能 4 萬至 5 萬片晶圓 SK 海力士大連第二工廠目標月產能 3 萬片晶圓 關鍵製程設備 蝕刻機（Etcher）
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