根據韓國《時事雜誌 e》獨家報導，Samsung 電子正在推進一項重大封裝業務調整：其在忠清南道天安事業場負責的移動應用處理器（AP）Exynos 封裝生產將逐步終止，相關設備將全面轉換為高帶寬存儲器（HBM）封裝產線。值得注意的是，搭載於 Galaxy S26 系列部分機型和 Galaxy Z Flip 8 等產品的 Exynos 2600 將繼續在天安生產，但今後推出的新一代產品將不再在天安另建專用封裝產線。
Samsung 電子注意到，下一代產品“Exynos 2700”的封裝工序將轉移至溫陽事業場進行。據瞭解，雖然溫陽事業場設有部分晶圓級封裝（WLP）設備，但並不完整，因此將天安事業場轉為 HBM 專用產線成為自然選擇。這一調整與 Samsung 電子近期封裝戰略的變化密切相關，Samsung 電子正在評估從 Exynos 2700 起不再採用此前兩代產品使用的扇出型晶圓級封裝（FO-WLP）技術。
Samsung 電子將專注於高帶寬存儲器封裝技術
FO-WLP 雖能通過 WLP 應用改善散熱特性，但工藝複雜性和良率負擔導致封裝製造成本上升，Samsung 電子從盈利能力角度判斷需要新的封裝結構。業界相關人士透露：“從明年起，天安將撤出 Exynos 封裝的計劃已經明確。但這些設備可以轉換為 HBM 用途，因此並非拆除設備，而是全面轉換為 HBM 封裝的方向。已設置好的現有產品將繼續在天安生產，今後新產品則轉移到溫陽進行。
”
自 2024 年起，Samsung 電子已在忠清南道天安第三一般產業園區的 Samsung 顯示閒置建築中租賃空間，推進 HBM 先進封裝產能的擴張工作。天安事業場的 C1、C2、C3 產線已處於滿負荷 HBM 堆疊狀態。Samsung 電子還計劃到 2026 年底前將熱壓鍵合（TCB）月產能提升至 23.1 萬顆，混合銅鍵合（HCB）月產能提升至 1.95 萬顆，並規劃到 2029 年完成 HBM 堆疊工藝從 TCB 向 HCB 的迭代。
在更廣泛的戰略層面，Samsung 電子正推進封裝雙軌化戰略，計劃年內完成溫陽新工廠建設，用於 HBM 的先進封裝生產，以緩解天安工廠的產能壓力。同時，Samsung 電子正考慮將其位於天安和溫陽工廠的部分通用存儲器後端加工產能轉移至越南，旨在將韓國國內後道工序產能重新聚焦於 HBM 等高附加值產品。
據韓媒此前報導，Samsung 電子已宣佈將投入 56 萬億韓元，將天安和溫陽打造為下一代 HBM 的生產基地，預計今年 HBM 銷售額將較去年增長三倍以上。
項目 規格 Exynos 2600 移動應用處理器 Exynos 2700 下一代移動應用處理器 TCB 月產能 23.1 萬顆 HCB 月產能 1.95 萬顆
利益聲明：本文包含合作商戶產品連結，如你透過連結購買，TechRitual 可能獲得佣金收入，但不影響產品評價及推薦。詳情請參閱私隱政策。
