據韓媒報導，Samsung 電子正在擴大下一代 NAND 閃存產品 z NAND 的應用範圍。除了已公開的 z NAND-O 外，內部還在初期開發 z NAND-T 與 z NAND-I，三款產品分別針對不同的 AI 應用場景。
Samsung 電子正在開發多款新型 NAND 閃存產品以應對 AI 需求
Samsung 此前已公開過 z NAND-O。當地時間 8 月 4 日，Samsung 在美國加州聖克拉拉舉行的 FMS 2026 大會上首次展出 z NAND-O 概念模型，這款產品面向端側 AI 設計。與依靠引線鍵合將數據傳至晶片外圍的傳統方式不同，z NAND-O 採用硅通孔（TSV）技術，將 NAND 堆疊成 4 層或 8 層，數據傳輸路徑縮短，速度與能效隨之提升。Samsung 在 ODX 2026 上介紹，z NAND-O 的比特密度可達 DRAM 的 10 倍，讀取帶寬與讀取能效可達傳統 NAND 閃存的 7 倍，核心晶片層採用 SLC，可與 NPU 集成封裝，並通過 UCIe 標準接口互聯。
根據報導，z NAND-T 主打吞吐量，面向高容量、高性能的 AI 數據中心，特點是將決定數據吞吐量的帶寬做到最大，同樣採用垂直堆疊加 TSV 的方式製造，業內稱之為高帶寬閃存（HBF）。z NAND-I 則將 IOPS，即每秒可完成的輸入輸出次數做到最大。帶寬大意味著一次能處理更多數據，而 IOPS 高則意味著每秒完成的讀寫任務更多。KV 緩存這類低容量臨時數據需要頻繁處理，因此 AI 推理場景更看重高 IOPS 的 NAND。
韓媒指出，Samsung 將下一代 NAND 產品細分為三條線，最主要的原因在於 AI。全球大型科技公司正在開發各種提升 AI 數據處理效率的架構，針對不同需求優化的 NAND 需求隨之增加。Samsung 尚未正式公佈 z NAND-T 與 z NAND-I，這兩款產品目前僅在內部開發中。
SK 海力士同樣在開發定製化 AI NAND 產品。該公司去年下半年搭建了 AIN（AI-NAND）產品家族，包含 AIN P、AIN D、AIN B 三款，分別對應性能、集成度與帶寬。AIN P 正在開發最高 1 億 IOPS 級產品，AIN D 聚焦 SSD 存儲容量，目標最高 PB 級，AIN B 則與 HBF 實質上是同一概念，重點在於擴展帶寬。
項目 規格 比特密度 可達 DRAM 的 10 倍 讀取帶寬 可達傳統 NAND 閃存的 7 倍 IOPS 最高 1 億 IOPS 級
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