據《首爾經濟日報》報導，Samsung 電子已接受英偉達的要求，決定採用台積電 3 納米（N3P）製程為其下一代定製 HBM——NV-HBM 生產基底裸片（Base Die）。這標誌著 Samsung 首次在 HBM 製造階段與台積電展開合作，也意味著其沿用多年的“交鑰匙”模式在英偉達的標準化要求面前出現關鍵松動。
Samsung 此前對 HBM 採取“交鑰匙”策略，核心 DRAM 晶片與基底裸片均在其內部產線完成。Samsung 今年率先量產的 HBM4，其基底裸片採用的正是自家 SF4（4nm）邏輯製程；規劃中的 HBM4E 同樣基於 SF4，未來 HBM5 則計劃升級至 SF2（2nm）。但英偉達的要求改變了這一路徑。報導引述業界消息稱，英偉達已要求 Samsung、SK 海力士及美光三家 HBM 供應商，統一採用台積電 3nm 工藝製造 NV-HBM 的基底裸片，同時核心 DRAM 晶片需基於第六代 DRAM（1c）工藝。
Samsung 接受英偉達要求以台積電 3 納米製程生產 NV-HBM
Samsung 在內部評估後接受了這一要求，但明確表示標準 HBM 及面向其他客戶的定製產品仍將維持自主生產模式。Samsung 選擇妥協，除了英偉達的客戶話語權之外，還有自身產能的硬約束。Samsung SF4（4nm）產線目前月產能約 3 萬片晶圓，其中 50%至 60%已分配給 HBM4 基底裸片，摺合約 1.5 萬片/月。這些產能需要優先滿足 Samsung 自身 HBM4/HBM4E 的量產需求。
在 SF4 已經滿負荷運轉的情況下，再為英偉達 NV-HBM 騰出額外邏輯產能並不現實。不過，Samsung 並未完全關上自主製造 NV-HBM 基底裸片的大門。報導稱，Samsung 仍在評估若台積電產能不足以覆蓋 NV-HBM 需求時，由自家代工廠承接部分生產的可能性。這為後續合作保留了彈性。
項目 規格 製程技術 台積電 3 納米（N3P） 核心 DRAM 晶片工藝 第六代 DRAM（1c） 基底裸片製程 SF4（4nm） 月產能 約 3 萬片晶圓 分配給 HBM4 基底裸片產能 50%至 60%
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