Samsung 在 GMIF 峯會展示 400 層以上 V-NAND 及 zNAND-O 技術，獲得 AI 內存與存儲產業卓越領導力獎

第五屆 GMIF 創新峯會（GMIF 2026）日前在深圳圓滿落幕。此次由深圳市存儲器行業協會與北京大學集成電路學院共同主辦的大會，主題為「AI 內存與存儲構建的未來」，吸引了超過 3000 名專業人士參加，討論的焦點集中於 AI 推理、企業級存儲以及雲、邊緣與終端協同等議題。

Samsung 內存中國的 CVP 兼 CTO 凱文·尹在會議上發表了題為《內存革命：構建智能體 AI 的基石》的主題演講，介紹了涵蓋從伺服器 SSD 到端側 zNAND-O 的完整產品佈局。他指出，隨著 AI 從生成式走向智能體，許多智能體協同處理複雜任務，產生的 token 數量劇增，KV 緩存的容量與重用需求隨之上升。一旦 KV 緩存超出 GPU 內存的承載範圍，獨立的共享存儲層級就變得不可避免。

Samsung 推出新一代伺服器 SSD 以應對 AI 需求

針對 KV 緩存共享，凱文·尹介紹了兩款伺服器 SSD。主打性能的 PCIe Gen6 產品 PM1763 採用 V-NAND TLC 並強化了散熱系統，計劃在 2026 年第四季度出樣。主打容量的 BM1773 基於 V9 QLC，容量範圍為 16TB 至 256TB，自稱為「全球最小的 256TB SSD」。他表示，這兩款產品將同時覆蓋性能市場和容量市場。

在 NAND 工藝層面，凱文·尹介紹了 Samsung 最新的 V10 BV-NAND，這是業界首個實現 400 層以上的產品。與 V9 相比，V10 的位密度提升 58%，I/O 速度提升 33%，功耗降低 25%。他提到，關鍵在於先進的鍵合技術，即將存儲單元與外圍電路分開製造，再垂直貼合，從而實現高密度堆疊。

針對端側 AI，Samsung 提出的新一代 NAND 架構 zNAND-O，目前正在開發 4 層與 8 層兩個版本。根據 Samsung 的判斷，到 2030 年 AI 模型的參數規模將超過 1 萬億，如果沿用現有統一內存架構，將所有權重都放在 DRAM 裡，端側成本會迅速攀升。zNAND-O 與 MPU 封裝在一起並通過 UCIe 接口連接，位密度達到 DRAM 的 10 倍，讀取帶寬與讀取能效則是 NAND 快閃存儲的 7 倍。

在使用 Moonshot AI 的 Kimi K2-1T 模型進行的模擬中，採用 zNAND-O 的 NPU 優化架構在同等性能下將內存成本降低至四分之一，所能容納的模型規模接近原來的兩倍。

GMIF 每年都會表彰在產業鏈上推動關鍵技術突破與計算生態建設的企業。Samsung 半導體憑藉 zNAND-O 三維架構、400 層以上的 V10 NAND、CXL 內存以及在 DRAM 與 NAND 領域長期的領先位置，獲得 AI 內存與存儲產業卓越領導力獎，這也是其連續第二年在此大會上獲獎。從共享 KV 緩存所需的高速與大容量伺服器 SSD，到 400 層以上的 V10 NAND，再到面向端側的 zNAND-O，Samsung 在多個層級上都提出了對應方案。

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