根據多名知情人士透露，Samsung 電子及 SK 海力士正在升級位於中國的工廠，計劃生產層數超過 200 層的 NAND 閃存晶片，以滿足智能手機、個人電腦及 AI 數據中心對存儲產品的需求，並使中國工廠的生產水平接近韓國工廠。SK 海力士 Samsung 位於西安的工廠目前生產約 200 層的 NAND 閃存晶片，產量約佔該公司全球 NAND 總產量的 40%。Samsung 正推進內部代號為「我的朋友」的升級項目，將工廠改造為生產 286 層 V9 NAND。
其目標是今年 12 月實現月產 5000 片晶圓，並於 2027 年 12 月將月產量提高至 4 萬片晶圓。衞星表示，此次升級符合美國出口管制規定，主要用於滿足全球客戶需求，不涉及擴大產能或新建製造設施。
SK 海力士則計劃將大連工廠從生產 192 層產品轉向 240 層及以上的 NAND 產品。知情人士稱，該公司已獲準在大連生產最高 240 層晶片，並可能尋求批准，在當地研發 300 層以上產品。SK 海力士還在與美國政府磋商赴美建設 NAND 工廠的計劃。自 2022 年美國對部分晶片製造設備實施出口管制以來，兩家公司在中國工廠安裝美國製造的蝕刻機等設備，需要每年申請許可證。
監管限制一度影響工廠改造進度。
Samsung 與 SK 海力士在中國的 NAND 升級計劃將提升市場競爭力
數據顯示，長江存儲第二季度在中國 NAND 市場的份額升至 38.5%，Samsung 和 SK 海力士則分別降至 33.5% 和 17%。兩家公司已確認升級工作正在推進，但未披露更詳細的生產計劃。
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