Samsung 與 SK 海力士計劃明年第二季度量產 HBM4 8 層內存供應英偉達

Samsung 電子與 SK 海力士計劃從明年第二季度起，面向英偉達大規模量產並出貨第六代高帶寬內存 HBM4 8 層產品。根據瞭解，兩家公司目前主要量產 HBM4 12 層產品，新增 8 層供應計劃與英偉達調整下一代 AI 加速器的內存配置及採購策略有關。

HBM 通過硅通孔技術，將多顆 DRAM 晶片垂直堆疊並連接。12 層產品由 12 顆 DRAM 堆疊而成，而 8 層產品則採用 8 顆 DRAM。英偉達原先未規劃採購 HBM4 8 層產品，相關討論從今年第三季度開始加快。

按原計劃，英偉達明年推出的下一代 AI 加速器 Rubin Ultra 將搭載第七代 HBM4E 12 層產品。不過，英偉達目前正重點評估同時採用 HBM4 8 層和 HBM4E 8 層的方案。調整原因涉及 HBM4 及 HBM4E 12 層堆疊結構可能帶來的散熱加劇、良率下降和供應穩定性問題。

英偉達將調整 AI 加速器的內存配置策略

知情人士稱，英偉達可能根據採用 Rubin Ultra 的 NVL 機架級系統規模，混合配置 HBM4 8 層與 HBM4E 8 層產品。今年 HBM4 12 層仍將是主要供應規格，但從明年年中開始，8 層產品的佔比預計將明顯擴大。

Samsung 電子與 SK 海力士正在為擴大明年 HBM4 8 層出貨做準備，目前，兩家公司已經完成英偉達對 HBM4 12 層產品的認證，但 8 層產品仍需單獨接受認證。

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