SK 海力士表示,受進階製程技術難度提升及新建生產設施耗時較長等因素影響,存儲市場供不應求的局面預計將持續至 2030 年。公司計劃加快擴充產能,並提高先進高帶寬記憶體和 NAND 閃存的供應規模。
SK 海力士計劃在 2030 年前擴大存儲市場供應
在產品方面,SK 海力士預計第四季度 HBM4 的出貨量和營收均將超過 HBM3E。公司還計劃在第四季度將 321 層 NAND 工藝在韓國本土 NAND 產能的比重提升至 50% 以上,以增加高性能、大容量企業級固態硬碟的供應。此外,公司計劃圍繞高帶寬閃存及系統優化技術,拓展 NAND 在 AI 服務中的應用。
根據 HBM 業績數據,SK 海力士第三季度的銷售額達到 104.62 萬億韓元,高於 98.96 萬億韓元的預期;營運利潤為 83.33 萬億韓元,同樣超過 77.5 萬億韓元的預期。公司同時計劃回購 20 萬億韓元的股票,並計劃在 2026 年向股東返還約 100 萬億韓元,其中擬提供超過 30 萬億韓元的現金股息。
目前,AI 數據中心對 HBM、DRAM 和企業級固態硬碟的需求持續增加。與傳統存儲產品相比,先進存儲產品對製造工藝、晶圓產能及封裝能力提出更高要求,而新建記憶體生產設施通常需要較長的建設週期,這成為 SK 海力士判斷供應緊張仍將延續的重要依據。
項目 規格 321 層 NAND 工藝 50% 以上的本土產能比重

