Samsung 電子於三季度業績發布電話會議中公佈了存儲業務的中期安排,計劃依託技術領先優勢擴大 HBM4(第六代)的銷售,同時 HB4E(第七代)預計將於明年上半年啟動量產。公司表示,HBM4E 將於明年下半年進入產量擴大階段,通常稱為產能爬坡。
Samsung HBM4 晶片的時間表反映了公司對明年需求結構的判斷。Samsung 預計,明年手機、PC 等應用領域將出現一定程度的需求調整,但在 AI 生態持續擴張的背景下,主要超大規模雲廠商仍將加大對數據中心的投入。會議中提到,AI 前沿客戶正在自建數據中心,這將加速 AI 數據中心基礎設施的建設。因此,消費電子端的短期波動,將被 AI 算力側的投資強度部分對沖。
Samsung 電子將於明年上半年啟動 HB4E 的量產
基於該判斷,Samsung 電子提出了主動調整產品組合的應對策略。公司表示,將綜合考慮 DRAM 與 NAND 在各應用領域的需求變化及客戶要求,持續推行具有前置性的產品組合策略。
需要指出的是,Samsung 電子此次並未披露 HBM4E 的具體容量、堆疊層數、良率或客戶名單,電話會議中的資訊主要集中於時間表與需求判斷兩個層面。後續的實際量產進度與爬坡速度,仍需根據明年的客戶認證情況及產線準備程度而定。
項目 規格 處理器 HBM4E 儲存空間 未披露
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