Samsung 電子與 SK 海力士正在競爭性下單採購極紫外（EUV）光刻機，兩家公司的投入規模皆在 10 萬億至 20 萬億韓元區間（約 526 億至 1053 億元人民幣）。據報導，阿斯麥已預測在 2027 至 2028 年間將出現 EUV 供應缺口，確保交付排期成為兩家擴產先進 DRAM 的關鍵。兩家公司計劃自明年起分批接收設備，SK 海力士在今年 3 月透露將採購價值約 11.95 萬億韓元（約 629 億元人民幣）的 EUV 設備，交付截止日期為 2027 年 12 月 31 日。
由於供應緊張，核心設備的交付週期已延長至原先最長週期的兩倍，兩家公司正考慮提前下單，未來可能根據情況追加訂單，資本開支進一步上升的可能性隨之提高。Samsung 的訂單與其平澤基地的投資節奏相匹配。去年 11 月，Samsung 公佈了為期五年的 450 萬億韓元（約 2.37 萬億元人民幣）本土投資方案，其中包含平澤 P5 產線，目標在 2028 年投入生產，單座 P5 晶圓廠的投資規模超過 60 萬億韓元（約 3158 億元人民幣）。
Samsung 與 SK 海力士的 EUV 設備採購競爭將影響未來市場供應
業界預期，P5 一期的潔淨室工程將於明年上半年完工後，設備將陸續進場，Samsung 已為這條產線下單光刻設備。EUV 光刻依賴 13.5 納米波長光源刻蝕電路，能夠減少過去依賴多次曝光拆分圖形的多重圖形化工序。對於 10nm 級第六代（1c）這類先進 DRAM 而言，隨著電路間距持續縮小，使用 EUV 的工藝層數不斷增加。集邦諮詢表示，SK 海力士計劃在 1c DRAM 上將使用 EUV 的工藝層數推升至 5 層以上，比上一代增加兩層。
根據阿斯麥的第三季報告，供應端的緊張狀況已顯示出來：根據當前規劃，2027 至 2028 年 EUV 供應將無法滿足客戶需求。今年 EUV 出貨約 65 台，較去年的 44 台增長近 50%；即使 2027 年產能提升 30%、2028 年再增長 30%，供應仍然不足。核心產品的漲價影響將於明年逐步顯現，至 2028 年將充分體現。今年第三季度，存儲客戶已佔阿斯麥整機銷售額的 46%。
在工藝積累上，Samsung 於 2020 年 3 月出貨業內首款採用 EUV 的 DRAM 模組，現時是存儲行業擁有 EUV 設備最多的廠商；SK 海力士則在 2021 年 2 月於利川 M16 工廠引入首台 EUV 設備，去年 9 月引入業內首台高數值孔徑（High-NA）EUV 量產機台，Samsung 計劃在 2028 年將 High-NA EUV 導入 DRAM 量產。後端環節同樣緊張，韓美半導體與安靠的訂單儲備已排滿兩至三年，擴產重點集中在 AI 數據中心所需的熱壓鍵合機等關鍵設備上。
項目 規格 工藝層數 5 層以上 光刻設備 EUV
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