Samsung 發佈第七代 HBM4E 記憶體晶片，數據傳輸速度達 16Gbps

在宣布大規模生產 HBM4 晶片僅一個月後，Samsung 宣佈了其第七代高帶寬記憶體 HBM4E，這款記憶體的性能比 HBM4 更為快速，預計將用於 Nvidia 的下一代 AI 加速器平台。

在加州聖荷西舉行的 Nvidia GTC 2026 活動中，Samsung Electronics 首次展示了 HBM4E 晶片，成為全球首家發佈該技術的公司。這款晶片的數據傳輸速度可達每針 16Gbps，帶寬高達 4TB/s。預計將應用於 Nvidia 的 Vera Rubin Ultra 平台，該平台可能於 2027 年下半年推出，因此大規模生產有望在明年上半年啟動。

Samsung 亦宣布了未來 HBM 技術的計劃。該公司計劃利用其 1c DRAM 製程和 2nm 的代工製程來開發第八代 HBM5 晶片。至於第九代 HBM5E 晶片，Samsung 計劃使用其 1d DRAM 製程及 2nm 的代工製程。

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此外，Samsung 還展示了其混合電容鍵合（HCB）技術，這項技術預期將成為其未來 HBM 晶片與競爭對手之間的主要區別。

在活動期間，Nvidia 首席執行官 Jensen Huang 拜訪了 Samsung Electronics 的展位，並在展位展示的 HBM4 晶圓上簽名「Amazing HBM4」。