Samsung 第四季量產 CXL 3.1 記憶體模組 帶寬每秒 72GB

據韓媒最新消息,Samsung 計劃在第四季度推進基於 CXL 3.1 標準的記憶體模組量產。行業消息顯示,Samsung 將從第三季度起向主要伺服器和數據中心客戶提供 CMM-D 樣品,若通過質量驗證,第四季度將確定生產規模並進入量產階段。

Samsung CMM-D 3.1 規格對比

規格CMM-D 3.1CMM-D 2.0
最大容量1TB256GB
帶寬每秒 72GB36GB/s
介面PCIe 6.0PCIe 5.0

Samsung CXL 是一種基於 PCIe 技術的高速互聯標準,旨在提升 CPU、RAM 和 GPU 之間的數據傳輸效率。Samsung 此次推出的 CMM-D 3.1 模組將多個 DRAM 晶片與專用 CXL 控制器集成於一塊 PCB 上,相比前代 CXL 2.0 降低了延遲並提升了速度。 CXL 技術支持 RAM 池化,各處理器可按需分配 RAM,提高利用率。

與高帶寬 RAM(HBM)不同,CXL 速度較慢但互補,可靈活擴展容量,像 SSD 一樣通過介面連接,無需大幅改動伺服器架構。 Samsung 此前於 2023 年 5 月完成 CMM-D 2.0 樣品開發,供應給全球 40 多家客戶,包括 Microsoft、Google、Amazon 等雲服務商以及 Dell、超微等伺服器企業。CMM-D 3.0 樣品也將供應給這些客戶。

Samsung 原計劃 2025 年底前推出 CMM-D 3.1,但因通用 DRAM 和 HBM 需求旺盛,CXL 商業化優先級有所下降。 據市場研究機構預測,CXL 市場將從 2025 年的 21 億美元,約 HK$163.8 億增長至 2028 年的 160 億美元,約 HK$1,248 億,主要受 AI 數據中心對擴展 RAM 技術的需求推動。相關產業鏈包括控制器、IP 設計、PCB 等廠商有望受益。

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Henderson 是 TechRitual Hong Kong 科技編輯,專注報導智能手機、消費電子產品、SIM 卡及流動通訊市場。自加入 TechRitual 以來,累計撰寫數千篇科技報導及產品評測,內容同步發佈至 SINA 及 Yahoo Tech 等主要平台。

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