Intel CEO 確認研發 10A 與 7A 工藝 預計 2030 年代投入市場

Intel 正在推進新一代晶片製造技術的研發。公司首席執行官陳立武在 JP 摩根技術會議上確認，Intel 目前已在開發「10A」和「7A」製造工藝，這些技術預計將在 2030 年代投入市場，並實現晶片設計的進一步微型化。

根據《Tom’s Hardware》報導，陳立武表示，半導體行業的大客户不僅評估單個產品，更看重企業的長期發展規劃。作為晶圓代工廠，必須提前展示技術路線，因此 Intel 現在已開始投資那些數年後才能產生經濟效益的工藝。

目前，Intel 的研發重點仍是即將推出的 14A 工藝。陳立武透露，14A 的開發進展符合預期，早期版本的工藝設計套件（PDK）已可供客户使用，更成熟的版本將於 10 月交付外部合作夥伴。多家客户已表達對 14A 工藝的興趣，但 Intel 未披露具體名稱。

14A 工藝風險試產計劃與行業競爭

按計劃，14A 工藝的風險試產將於 2028 年啟動，2029 年實現大規模量產。這一時間線與主要競爭對手台積電相近，後者也計劃在 2020 年代末推出同類技術。14A 將成為首批在工業規模上採用 ASML 高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻系統的製造工藝之一。

陳立武指出，引入這一全新光刻技術極為複雜，除光刻機本身外，還需開發新的光掩模、材料和測量方法。Intel 正與 ASML 及其他合作夥伴密切合作，以確保該技術如期達到量產條件。ASML 首席執行官此前表示，首批使用 High-NA EUV 製造的測試晶片將在未來數月內完成。

與台積電的技術路線不同，Intel 在 14A 中採用了晶片背面供電技術，該技術尤其適用於高性能數據中心處理器。