Samsung 是全球最大的半導體晶片製造商之一，並聲稱已開發出一項新技術，能夠促進真正的下一代晶片的實現。這家韓國公司的新型 3D 堆疊 FET 結構改變了晶體管的排列方式，可能使得生產更小、更密集且性能顯著更強大的晶片成為可能。
Samsung 的新技術可能改變半導體行業的未來
Samsung Electronics 最近在 2026 年 VLSI 研討會上發表了一篇題為《首次展示 42nm 閘寬的 3D 堆疊 FET，具有三層堆疊的納米片通道以應用於先進邏輯的論文》。在於 2026 年 6 月 14 日至 16 日舉行的會議中，Samsung 的論文在超過 1,000 篇投稿中被評選為最佳論文，並獲得了 10 分滿分中的 8.29 分。
此外，該論文還被選為 2026 年 VLSI 技術亮點之一，並在會議的官方新聞資料包中展示。
VLSI 研討會是半導體行業最重要的技術會議之一，研究人員、科學家和工程師在此討論新興的超大規模集成 (VLSI) 技術和突破性創新。傳統上，半導體技術通過縮小晶體管的尺寸以在同一區域內容納更多的晶體管來提高性能和能效。然而，單個晶體管的縮小在物理上受到限制。儘管經歷了幾十年的創新，晶體管在很大程度上仍然是排成一排的二維平面組成。
多年來，晶體管架構已從平面晶體管演變為 FinFET，最近又發展至全圍閘 (GAA) 晶體管。Samsung 現在開發出一項技術，將兩種不同類型的晶體管，即 n 型和 p 型，垂直堆疊在一起。這種方法可以顯著減少晶片上所需的空間。
儘管這一概念聽起來簡單，但垂直堆疊晶體管會帶來幾個挑戰，包括電力傳遞、製造均勻性和電氣幹擾。Samsung 表示，他們通過以下方式解決了這些問題：使用三層堆疊的納米片通道以確保在高度緊湊的結構中能夠有足夠的電流流通；採用先進的外延生長技術來創建光滑、無缺陷的層，從而使電信號能夠穩定流動；開發一種名為中介絕緣層 (MDI) 的精確絕緣結構，以在不影響性能的情況下分隔兩個晶體管層。
Samsung 隨後以 42nm 的閘寬展示了該技術，閘寬指的是相鄰晶體管閘之間的距離。這一成就表明，該公司的 3D 堆疊 FET 結構未來可能應用於先進的製程節點。Samsung 還通過比較晶圓上多個結構的電氣特性來評估技術的均勻性，並發現結果一致。這一新技術標誌著從傳統平面晶片設計向真正的三維晶體管架構的重要轉變。這樣的方法有望實現晶片更高的晶體管密度、更好的性能和提升的能效。
目前 Samsung 尚未透露該技術何時能夠商業化或應用於量產產品中。
