在 Samsung 先進晶圓代工生態論壇 (SAFE Forum) 上，Samsung 揭示了其未來半導體製程的計劃。去年，該公司推出了 Exynos 2600，這是首款基於 2 納米製程的智能手機晶片，該晶片是基於 Samsung 所稱的 SF2 製程製造的。接下來是 SF2P，該製程將使功耗降低 26%，時脈提升 15%。這項新製程僅在部分程度上負責這些改進。Samsung 半導體製造部設計平台開發團隊副總裁申鍾信 (Shin Jong-shin) 指出，超過一半的性能提升歸功於 DTCO。
DTCO，即設計-技術協同優化，是一種將半導體製造方法與晶片設計相結合的晶片製作方法，傳統上這兩個步驟是分開進行的，但同時進行則能實現更優化的設計，從而提高速度、降低功耗，甚至節省成本。
Samsung 計劃在 2027 年至 2028 年開始量產新製程
接著將推出 SF2P+，預計將於 2027 年至 2028 年開始量產。還有另一個正在開發中的製程 SF2X，但該製程將專為人工智慧硬體進行優化。Samsung 亦致力於探索將更多靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 集成到晶片中的方法。SRAM 用於構建中央處理器 (CPU) 或圖形處理器 (GPU) 的寄存器和快取，其速度非常快，但佔用的空間比動態隨機存取記憶體 (DRAM) 更大。
為了便於理解，一個典型的 SRAM 單元（存儲單個位元，即 0 或 1）需要 6 個晶體管，而一個 DRAM 單元僅需要 1 個晶體管。
Nvidia Rubin GPU（在台積電的 N3 製程上製造）擁有 128MB 的片上 SRAM。Samsung 與 Groq 正在合作開發一款大型語言模型加速器（LLM accelerator），其 SRAM 將超過 500MB，而該加速器則基於較舊的 4 納米製程。Samsung 支持的 Rebellions 展示了 REBEL-100 人工智慧加速器，該加速器目前正在 Samsung 的 4 納米製程上生產。在 2 納米時代之後，Samsung 將轉向 1.4 納米的製程，首個將是 SF1.4，預計於 2029 年開始量產，隨後將推出 SF1.4+，計劃於 2030 年量產。
SF1.4 最初計劃於 2027 年推出，但該時間表在幾年前被推遲。
項目 規格 處理器 Exynos 2600 製程技術 2 納米 SRAM 容量 128MB (Nvidia Rubin GPU) SRAM 容量 超過 500MB (LLM 加速器)
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