SK 海力士啟動 Y1 工廠設備訂購計劃 目標月產 2 萬片晶圓

SK 海力士正在加速推進龍仁半導體集羣首座工廠的建設進程。根據韓媒報導，SK 海力士已於 7 月 14 日開始向主要合作夥伴訂購 Y1 工廠所需的先進 DRAM 製造設備。近期，SK 海力士已向部分核心設備供應商發出 Y1 工廠的設備採購訂單，初期投資規模對應每月產 2 萬片晶圓的生產能力。設備行業人士透露，SK 海力士將通常安排在年底進行的設備價格談判提前至第三季度初啟動，目的是盡可能加快 Y1 工廠的設備導入速度。

Y1 是 SK 海力士在京畿道龍仁市處仁區遠三面一帶建設的大規模半導體集羣中的第一座工廠。一期工廠由兩個廠房骨架和六個潔淨室組成。首座潔淨室（ph1）的投產時間已從原計劃的 2026 年 5 月提前至 2026 年 2 月。按照最新計劃，SK 海力士將於 2026 年 2 月啟動試產線（One Pass）建設，隨後在 3 至 4 月間進行月產 2 萬片規模的正式設備安裝。

SK 海力士計劃在 2026 年推出新一代 DRAM 產品

Y1 工廠首期生產目標為第六代 10 納米級（1c）DRAM。1c DRAM 是當前已實現商用化的最新世代 DRAM 產品，可用於 AI 領域的高附加值 DDR 和低功耗 LPDDR 製造。SK 海力士計劃將 1c DRAM 應用於第七代高帶寬存儲器 HBM4E，該產品預計將於明年正式進入商用化階段。

龍仁半導體集羣總投資規模達 600 萬億韓元，共規劃四座工廠。原定於 2045 年完成的第四座工廠建設目標，現已提前至 2033 年，整整縮短了 12 年。設備行業人士透露，SK 海力士計劃在今年下半年啟動 Y1 第二和第三潔淨室的建設，“整體工廠建設日程非常緊張”。與此同時，SK 海力士正在全球範圍內加碼產能佈局，據此前計劃，公司已在清州 P&T7 先進封裝工廠投入約 19 萬億韓元，並計劃在韓國西南部新建半導體集羣。

SK 海力士預計將於 2027 年 2 月開放 Y1 首個潔淨室，第二至第四座晶圓廠將依次跟進建設。隨著設備訂購的正式啟動，龍仁半導體集羣正從藍圖加速走向現實。