根據韓媒報導，SK 海力士董事長崔泰源於 8 月 14 日表示，明年將出現有史以來最嚴重的「存儲荒」。他在公司位於韓國的總部接受了媒體專訪，再次強調了存儲需求的爆發式增長。崔泰源指出，人工智能生態系統對內存的需求已超出公司供應能力，所有客户都要求接近原來需求的兩倍供貨量。
業內人士預測，人工智能晶片的需求預計同比增長 60%至 100%，整體存儲半導體需求增幅也將達到 50%至 60%。值得注意的是，單台人工智能伺服器的 DRAM 用量是普通伺服器的 8 至 10 倍，而 NAND 閃存用量則達到普通伺服器的 3 倍以上。今年，與人工智能相關的 DRAM 需求首次超過手機和電腦的需求。不過，新建存儲晶圓廠需要巨額的投資及 2 至 3 年的建設週期，產能擴張可能需要四至五年時間，短期內供應無法跟上。
人工智能需求驅動存儲市場變化
Tesla CEOElon Musk 也指出，存儲供應每年僅增長約 20%，但與人工智能相關的需求卻暴漲了 200%。此外，AI 高帶寬內存（HBM）的需求快速上升也是一大原因。同樣一片晶圓，普通 DRAM 的比特產出約是 HBM 的 3 倍，進入 HBM4 後，差距可能擴大到接近 4 倍。而 Samsung、SK 海力士和美光三大巨頭則將 70%至 80%的先進製程產能傾斜給 HBM 和企業級高端存儲，普通 DRAM 和 NAND 供應被極限壓縮，導致消費級存儲出現嚴重缺貨。
目前，Samsung、SK 海力士和美光三大原廠正與主要的人工智能客户簽訂 3 至 5 年的長期供貨協議，預計到 2027 年，全球近 50%的 DRAM 產能將被提前鎖定，中小買家將面臨「無貨可採」的局面。
項目 規格 DRAM 用量 普通伺服器的 8 至 10 倍 NAND 閃存用量 普通伺服器的 3 倍以上
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