Samsung 計劃將 NRD-K 2 號線轉為晶圓代工生產線以應對英偉達 HBM 需求

據外媒報導，Samsung 計劃調整 NRD-K 2 號線的用途，將其從原定的研發設施轉為晶圓代工生產線，重點用於生產下一代高帶寬記憶體（HBM）所需的 2nm 基底晶片。此舉被視為 Samsung 為應對英偉達等客户未來擴大的 HBM 需求而提前準備產能。

根據 CNMO 科技的瞭解，NRD-K 是 Samsung 在韓國器興建設的新一代半導體研發園區，計劃到 2030 年累計投入約 20 萬億韓元（約 954 億人民幣），建立 3 條生產線。其中，首條生產線預計於 2024 年底完工，而 2 號線則從今年開始進行建設準備，目前仍處於場地整理和基礎施工階段。

Samsung 計劃於 2028 年下半年投產 NRD-K 2 號線

根據最新方案，NRD-K 2 號線可能被用作晶圓代工「Send-Fab」。這種模式並非完整承擔所有晶圓製造流程，而是從其他量產線接收晶圓，負責其中部分特定工藝，以補充先進製程的產能。報導指出，Samsung 目前重點考慮在此地量產供應給英偉達的 2nm HBM 基底晶片。

一位熟悉該業務的人士表示：「Samsung 電子正以 2028 年下半年投產為目標，建設 NRD-K 2 號線，並已確定將其用作代工晶圓廠。由於 NRD-K 2 號線的晶圓廠規模相對較小，將採用「小尺寸晶圓廠」模式，有助於擴大尖端半導體的生產能力。」

需要注意的是，該工廠還需兩年才能完工，NRD-K 2 號線的用途尚未成定局，仍然存在改變的可能性。

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