Qualcomm 全球副總裁 Durga Malladi 在當地時間 8 月 26 日舉行的「德意志銀行科技大會 2026」上透露，Qualcomm 正與 Samsung 電子及 SK 海力士兩家儲存巨頭展開緊密合作，共同推進高帶寬計算（HBC，High Bandwidth Compute）晶片的商業化量產。Qualcomm HBC 被視為解決當前人工智能算力瓶頸與功耗難題的新一代方案。與當前將 GPU 與 HBM（高帶寬內存）進行水平連接的傳統設計不同，HBC 屬於近 NMC（內存計算）技術，它利用 TSV（硅通孔）工藝，將多片低功耗 DRAM 晶片垂直堆疊並直接佈置在
XPU（加速器晶片）之上。Qualcomm 曾在今年 6 月指出，傳統的 GPU 與 HBM 在頻繁數據交換中會產生巨大熱量與能耗，而 HBC 正是為了彌補這一結構性缺陷而生。
在這一合作中，三方形成了明確的產業分工：Qualcomm 主要負責底層運算晶片的研發與 TSV 設計方案；Samsung 電子與 SK 海力士負責上層 DRAM 晶片的堆疊工藝；最終的技術模塊整合與封裝則交由台積電完成。關於產品的落地節奏，Durga Malladi 表示，第一代 HBC 產品計劃在 2027 年正式商用上市，目前已進入實驗室驗證階段。
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