據韓媒報導，Samsung 電子正在加快平澤第五園區（P5）首條量產線 Ph1 的建設進度，並與主要設備廠商討論提前將設備進場時間，由原計劃的 2027 年第三季度提前至 2027 年第二季度。根據目前的討論安排，相關設備最快將於 2027 年 5 月至 6 月開始進場。
Samsung 報導指出，P5 是公司規劃中的下一代半導體生產基地，目標在 2028 年投入運行。今年第三季度，P5 Ph1 已經開始建設潔淨室，而這項工作的啟動時間亦較原計劃提前約 6 個月。隨著潔淨室建設進度加快，原本預計在 2027 年第三季度進行的設備導入計劃也隨之提前。
Samsung 電子加快 P5 投資進度以應對市場需求
一位設備行業相關人士透露，Samsung 方面已經向供應商傳達希望在 2027 年 5 月至 6 月左右開始搬入設備的意向，另一位業內人士則表示，Samsung 甚至提出過讓設備廠商先行準備設備，必要時提前到 2027 年第一季度供貨的要求。報導認為，這反映出 Samsung 正在明顯加快 P5 一期投資節奏。
從產線規劃來看，P5 Ph1 目前較大概率將用於 DRAM 及高帶寬內存（HBM）生產，而 Ph2 則有望建設最先進的 NAND 產線，包括第十代 NAND（V10）等產品。不過，Ph2 目前仍處於與合作廠商討論階段，相關正式採購訂單尚未下達。由於當前部分半導體設備交貨週期較長，Samsung 已經要求供應商提前準備相關部件，以降低後續導入設備時的時間壓力。
Samsung 此次提前推進 P5 投資，與 AI 基礎設施帶來的高性能存儲需求增長有關。業內人士稱，目前全球大型科技企業持續增加用於 AI 基礎設施的高性能 DRAM 和 NAND 訂單，而存儲廠商的現有產能已經難以完全滿足市場需求。Samsung 電子此前在 2026 年第二季度業績發布中也表示，AI 相關需求正在推動伺服器產品需求增長，內存業務在強勁需求下創下季度最高業績，並計劃繼續擴大 HBM4、HBM4E 以及 DDR5、SSD 等高附加值產品的供應。
項目 規格 DRAM 高帶寬內存（HBM） NAND 第十代 NAND（V10）
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