Samsung 與 SK 海力士同日展示次世代內存堆疊技術 競逐速度與能效提升

在 10 月 14 日於首爾江南區 COEX 開幕的「第 28 屆半導體展（SEDEX 2026）」上，Samsung 電子與 SK 海力士同日展示了各自的次世代內存堆疊技術。兩家公司的思路相當一致：將半導體垂直堆疊，縮短運算裝置與內存之間的數據移動距離，從而同時提升處理速度和能效。

Samsung 電子和 SK 海力士展示次世代內存技術

Samsung 電子此次參展，展示的是涵蓋內存、邏輯、設計、代工以及先進封裝的 AI 半導體解決方案。其中最受關注的是 3D 內存架構「zHBM」，其做法是在 AI 加速器之上垂直堆疊高帶寬內存（HBM）。Samsung 還展示了 3D NAND 解決方案「zNAND-O」，該技術面向設備端運行 AI 的邊緣場景，重點在於高效利用空間並提升數據加載速度。此外，展台上還出現了第七代 HBM 產品 HBM4E，以及在內存內部集成運算功能的 LPDDR-PIM——這項低功耗 DRAM 技術的思路，是讓部分運算直接在內存中完成，從而減輕數據搬運到外部運算裝置的負擔。

除了技術路線，Samsung 也介紹了產能佈局的規劃。公司在今年新設的「半導體集羣區」中，講解了主要生產與研發據點的角色，並公開了龍仁國家產業園區的建設計劃——該項目投資約 360 萬億韓元（約合 2.05 萬億元人民幣），計劃於 2027 年開始用地整理和動工，目標是在 2029 年 10 月讓首條生產線投產。另據現場消息，在中國長鑫存儲（CXMT）預告推出次世代伺服器用 DRAM 的背景下，Samsung 電子最高技術負責人宋在赫社長在被問及公司是否也在開發 4F²技術時回答「是的」，但對開發進展僅以「正在努力做」作答，沒有透露更多細節。

SK 海力士給出的次世代方案，則集中在高帶寬閃存（HBF）和 3D 堆疊 DRAM 兩個方向。HBF 是基於 NAND 閃存的次世代技術，能夠高效存儲大容量數據，因此被視為介於 HBM 與固態硬盤（SSD）之間的新內存層級。3D 堆疊 DRAM 則是將 DRAM 直接放到 GPU 等處理器之上，並用硅通孔（TSV）連接，以縮短數據移動距離。

在當天的主旨演講中，SK 海力士開發總管社長安賢對內存面臨的瓶頸作出了判斷。他表示，隨著 AI 承擔的任務越來越複雜、單次參考的上下文和處理請求量不斷增加，AI 基礎設施的性能規模到 2030 年將擴大到今年的約 20 倍。尤其是 AI 復用此前處理資訊的中間數據「KV 緩存」持續增長，使得數據需要在多種內存之間拆分、存儲和搬運，這一過程正成為新的瓶頸。在他看來，若把處理器與內存直接連接的次世代技術，與能實現帶寬提升、功耗降低和熱處理的先進封裝結合起來，就有望成長為新的 AI 解決方案。

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