Samsung於本月稍早發佈，其12納米級24Gb（3GB）GDDR7 DRAM產品榮獲“2025年韓國技術大獎”的總統獎，這一成就標誌著該產品對國家產業競爭力的貢獻，獲得官方認可。
這款24Gb GDDR7 DRAM是Samsung於去年10月完成開發的產品，采用第五代（1b）10納米級工藝進行生產，約12納米的半導體電路线寬。該產品應用了脈衝幅度調制（PAM3）信號方式，實現業界最高的每秒40吉比特（Gbps）數據傳輸速率，根據使用環境最高可支持42.5Gbps。PAM3方式以-1、0、1三個階段表示數據，每個時鐘周期可傳輸1.
5比特數據，比普通的二進制數字信號方式快50%。
在產品設計中，Samsung還應用了時鐘控制技術和電源雙重化設計。時鐘控制技術讓電路僅在需要時運作，減少不必要的功耗；電源雙重化設計則可在DRAM低速運行時降低外部電壓或在芯片內部生成較低電壓，從而降低晶體管的工作電壓和電流，實現功耗最小化。此外，產品還采用了在高速運行時能最大限度減少漏電流的電源門控設計技術。
GDDR是用于顯卡和遊戲機等設備中圖形處理器（GPU）的內存，近來也被應用於人工智能（AI）運算。Samsung指出，GDDR7相比高帶寬內存（HBM）具有成本和能效優勢，隨著AI市場的競爭轉向降低推理成本，GDDR7的價值正日益增大。
該公司強調，其GDDR7產品具有高溫操作穩定性和可靠性，已被應用於下一代伺服器和數據中心。
值得注意的是，英偉達去年9月發佈的AI推理專用GPU“Rubin CPX”搭載了128GB的GDDR7內存。Samsung預計，隨著圖形密集型工作的增加，對高性能、高容量GDDR7的需求將會增長，並表示將通過確保良率和供應穩定性，加強與英偉達的合作以強化市場主導權。
此前，KB證券曾在去年9月預測，Samsung對英偉達GDDR7內存的獨家供應地位將暫時維持，英偉達已向Samsung請求擴大GDDR7供應，預計平澤生產線的產能將擴大一倍以上。
該機構分析認為，GDDR7未來將改善SamsungDRAM業務的盈利能力。據悉，Samsung也正在準備推出用于Compute Express Link（CXL）3.1標準的內存模塊DRAM（CMM-D）。
