韓國媒體 SEDaily 報導指出，Samsung Foundry 在 4nm FinFET 製程生產上取得重大進展，已將良率提升至超過 80%，正式進入成熟階段。這項成就讓 Samsung Foundry 更能與競爭對手台積電正面對決，滿足大科技公司對記憶體晶片前所未有的需求。
Samsung Foundry 製程技術路線圖
位於平澤園區的 Samsung Electronics 平澤校園同時生產 5nm 及 7nm 晶片，如今已準備好供應 4nm 晶片予 AI 加速器，以及汽車及行動科技領域的客戶。Samsung Foundry 的 4nm 製程更被用作第六代 HBM4 記憶體晶片的基底晶片。 平澤校園擁有六年 4nm 晶片量產經驗，此次成熟製程將助 Samsung Foundry 減輕記憶體價格上漲的衝擊，並有望於今年下半年重返獲利。
該校園不僅強化了 Samsung 在先進製程的競爭力，也為高性能運算應用注入新動力。 以下為 Samsung Foundry 主要製程規格比較：
| 製程節點 | 良率狀態 | 主要應用 |
|---|---|---|
| 4nm FinFET | 超過 80% | AI 加速器、HBM4 記憶體、汽車及行動科技 |
| 5nm | 成熟量產 | 高性能運算及移動晶片 |
| 7nm | 成熟量產 | 記憶體及一般應用 |
