Intel在夏威夷科技山舉行的 VLSI 2026 研討會上，透過論文 T1.2 正式公布 Intel 18A-P 製程節點的關鍵技術數據。相較標準 Intel 18A 節點，18A-P 在相同功耗下實現超過 9% 的性能增益，在相同性能下功耗降低超過 18%。這類性能與功耗改進通常只在跨代節點過渡時才見到，而 18A-P 在相同密度下即可實現。
四項實體改進提升效能
Intel論文原稿列出四項實體改進：額外的邏輯 VT 對、更嚴格的時脈偏移角控制、高密度（HD）和高性能（HP）庫中新增的低功耗器件，以及兩類庫中性能提升版 HP 器件。Intel將 18A-P 的偏移角（skew corners）比標準 18A 收斂約 30%，同時晶體管間的性能差異顯著縮小，功耗和性能特性更可預測，參數良率與晶片一致性同步提升。 散熱層面，18A-P 的熱阻比 18A 降低約 50%，導熱效率大幅提升。
這對高性能計算場景中持續高頻運作尤為關鍵，也直接應對背面供電技術（PowerVia）帶來的散熱挑戰。Intel已向潛在客戶交付 18A-P 的 1.0 版 PDK 工藝設計套件，以支持其開始測試晶片驗證。該工藝仍基於 RibbonFET 全環繞閘極晶體管架構與 PowerVia 背面供電技術打造，屬於 18A 平台的性能強化版本。 據 TrendForce 消息，蘋果正評估採用 18A-P 製程生產 M 系列晶片， Google 則在考慮借Intel EMIB 先進封裝技術推進 TPU v8e 項目，相關產品最早或
於 2027 年落地。
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