韓日存儲企業加速佈局人工智能用 NAND 市場競爭

日本存儲企業鎧俠正加速佈局人工智能用下一代 NAND 市場，計劃在今年陸續量產面向 AI 數據中心和終端 AI 設備的最新規格 NAND 解決方案。這一動向被業界視為對 Samsung 電子、SK 海力士等韓國存儲企業追趕態勢的加速回應。根據市場研究機構 TrendForce 的數據，鎧俠今年第一季度全球 NAND 市場份額為 13.9%，位列 Samsung 電子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）之後，排名第三。

雖然營收規模不及韓國競爭對手，但鎧俠的技術開發速度獲得業界高度評價，尤其在 AI 產業需求激增的高性能、高效率 NAND 領域，今年已取得顯著成果。

鎧俠在 NAND 技術上取得顯著進展

上個月初，鎧俠在日本巖手縣北上市工廠（K2）啟動了第十代（BiCS 10）3D NAND 的量產。NAND 存儲通過將存儲單元垂直堆疊的方式不斷演進，鎧俠的第十代 NAND 實現了 332 層堆疊。Samsung 電子和 SK 海力士目前已成功量產第九代 NAND，由於各企業的代際層數計算標準不同，無法直接橫向比較，但三家企業均已進入 300 層以上高堆疊 NAND 的量產階段，這一點具有重要意義。

基於第十代 NAND 技術，鎧俠已商用化支持 PCIe 6.0 接口的數據中心用企業級固態硬盤 CM10。PCIe 6.0 SSD 是今年開始量產的最新接口標準，據鎧俠介紹，CM10 相比前代產品順序讀取性能最高提升 92%，隨機讀取性能提升約 85%。面向終端 AI 市場的 UFS 5.0 存儲計劃於今年底開始量產，這是今年起商用化的最新內置存儲規格，主要用於移動設備 NAND，數據處理速度約為前代 UFS 4.1 的兩倍。

鎧俠的 UFS 5.0 搭載自研控制器和第八代 NAND。

韓國存儲企業加速應對市場競爭

面對鎧俠的攻勢，韓國存儲企業也在加速開發尖端 NAND 解決方案。行業龍頭 Samsung 電子正展開積極佈局，上個月初已開始量產 PCIe 6.0 企業級固態硬盤 PM1763，該產品搭載第九代 V NAND 和 4 納米製程的新型控制器。Samsung 電子的 UFS 5.0 存儲已於今年 6 月完成開發，計劃於第四季度投入量產，其特點是基於第九代 NAND 實現了業界最高水平的 10.8 GB/s 數據傳輸帶寬和功耗效率。

在下一代第十代（V10）NAND 方面，Samsung 電子宣佈本月開始量產。據推測，Samsung 電子 V10 NAND 的堆疊層數在 430 層左右。從第十代開始，Samsung 電子將首次採用混合鍵合技術，以及將單元分三次堆疊的 3-stack 工藝。一位半導體業界人士表示，Samsung 電子近期已完成 V10 NAND 的內部產品量產批准，正式公佈了量產計劃，但由於大規模量產設備投資尚未完全展開，初期產量預計處於較低水平。

隨著 AI 數據中心建設和終端 AI 設備普及帶動存儲需求持續攀升，韓日存儲巨頭在下一代 NAND 領域的技術競賽正進入白熱化階段。從 PCIe 6.0 企業級固態硬盤到 UFS 5.0 移動存儲，雙方在產品規格和量產時間表上的交鋒，將直接影響未來 AI 基礎設施的存儲供應鏈格局。

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